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磁敏传感器元件及其工业应用-中国仪器仪表行业协会,霍尔元件传感器,fritzing传感器元件库,传感器敏感元器件大全,传感器的敏感元件,元件定位视觉传感器,光纤传感器用元器件,传感器的组成元件,甲烷传感器黑白元件,传感器敏感元件
磁敏磁敏传感器可以检测很多物理量,例如:速度、角速度、线性位置、线性角度、位移、振动、力、压力、转速、加速度、流量、电流、电压、电功率等。它不仅可实现非接触测量,不从磁场中获取能量。
磁敏的优点是结构简单,体积小,易于集成化,耐冲击,频响宽(从直流到微波),动态范围大,而且可以实现无接触检测,不存在磨损,抗污染,不产生火花,使用安全,寿命长,在测量技术、自动控制和信息处理等方面有广泛的应用。国内磁敏经过三十余年的发展,的研究与开发情况,除巨磁阻存有差距以外,常用其磁敏如霍尔元件,磁阻元件等已经与国外同类产品相当。中科院半导体所,沈阳仪表科学研究院,南京中旭微电子公司。市场上 生产规模小,成本高。 部分元件的稳定性、可靠性差。 实际应用且具规模的领域少。 科研成果转化慢,生产条件配套性差,缺少资金入。霍尔元件是根据霍尔效应原理制造的一种磁测量器件。霍尔元件在制作工艺上可以分为单晶型和薄膜型两种。在霍尔元件的制造材料上分,主要有InSb元件、GaAs元件和Si霍尔元件。InSb霍尔元件目前能占到霍尔元件全部市场份额的70%~80%,其他材料的霍尔元件只占市场的很少部分。霍尔元件是半导体磁敏传感器中最成熟和用量最大的产品。??工作原理霍尔元件是利用霍尔效应制成的磁敏元件。若在图1所示的金属或半导体薄片两端通以电流I,并在薄片的垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势UH(称为霍尔电动势或霍尔电压)。这种现象为霍尔效应。
霍尔效应的产生是由于运动电荷受到磁场中洛伦兹力作的结果。霍尔电势UH可用下式表示:????????UH=RHIB/d ???(V)??
?式中 RH——霍尔常数(m3C-1)???????? I——控制电流(A)???? B——磁感应强度(T)???????? d——霍尔元件的厚度(m)???? 令??KH=RH/d(VA-1Wb-1m2)???????则得到????? UH=KHIB
由上式可知,霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B。KH称为霍尔元件的灵敏度,它与元件材料的性质与几何尺寸有关。为求得较大的灵敏度,一般采用RH大的N型半导体材料做霍尔元件,并且用溅射薄膜工艺使d做得很小。霍尔元件的主要参数输入电阻RIN和输出电阻Rout霍尔元件控制电流极间的电阻为RIN,霍尔电势极间的电阻为Rout。输入电阻与输出电阻一般为几欧姆到几百欧姆。通常输入电阻的阻值大于输出电阻,但相差不太多。额定控制电流Ic额定控制电流Ic为使霍尔元件在空气中产生10温升的控制电流。Ic大小与霍尔芯片的尺寸有关,尺寸越小,Ic越小。一般为几mA几十mA。不等位电势Uo和不等位电阻Ro霍尔元件在额定控制电流作用下,不加外磁场时,其霍尔电势电极间的电势为不等位电势。它主要与两个电极不在同一个等位面上及其材料电阻率不均等因素有关。可以用输出的电压表示,或用空载霍尔电压UH的百分数表示,一般Uo不大于10mV或±20%UH。?不等位电势与额定控制电流之比称为不等位电阻。Uo 及Ro越小越好。H
灵敏度是在单位磁感应强度下,通以单位控制电流所产生的霍尔电势。霍尔电势温度系数αα为温度每变化1霍尔电势傍晚的百分率。这一参数对测量仪器十分重要。若仪器要求精度高时,要选择α值小的元件,必要时还要温度补偿电路。电阻温度系数ββ为温度每变化1霍尔元件材料的电阻变化率(用百分比表示)。霍尔集成霍尔集成是利用硅集成电路工艺把霍尔元件和测量线路集成在同一硅片上制成的磁敏器件。霍尔集成取消了和测量电路之间的界限,实现了材料、元件、电路三位一体。霍尔集成与分立相比,由于减少了焊点,因此显著地提高了可靠性。按照输出信号的形式,霍尔集成又分成线性型霍尔及开关型霍尔两种类型。
霍尔开关集成是以开关信号形式输出,其电路结构主要由稳压电路、霍尔元件、差分放大器、整形电路和输出电路几部分组成。霍尔开关集成具有使用寿命长、无触点磨损,无火花干扰,无转换抖动,工作频率高(从直流到100千赫左右),温度性能好,能适应恶劣环境等优点。它可作为无触点开关,如键盘开关,接近开关,行程开关,限位开关等,可检测带有磁钢或导磁体的物体直线运动或旋转运动时的位置和速度,因而能检测产品数量、液面、旋转体的角位移、角速度、转速计量、里程计量等,也可用于磁头编码。线性霍尔则可以测量位移,制成力传感器,利用感应强度制成磁场强度计等。
磁阻元件
与霍尔元件不同,磁敏电阻是利用半导体物理磁阻效应和几何磁阻效应制成的半导体磁敏元件。磁阻元件像其他电阻器一样是一种纯电阻性的二端元件,特殊的也有三端和四端元件,还有磁阻集成电路,它的电阻值随磁场的变化而变化。磁阻元件有以下几种强磁体薄膜磁阻器件
强磁体金属薄膜磁阻器件是根据强磁体材料的磁致伸
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