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固体第四章 习题
第四章 晶体的缺陷 第一节 点缺陷 第二节 晶体中的扩散过程 第三节 离子晶体中的点缺陷与导电性 第四节 线缺陷——位错 第五节 面缺陷和体缺陷 第四章 晶体的缺陷 第一节 点缺陷 第二节 晶体中的扩散过程 第三节 离子晶体中的点缺陷与导电性 第四节 线缺陷——位错 第五节 面缺陷和体缺陷 3.某间隙原子在晶格的间隙位置间跳跃。该间隙原子在晶格中振动的频率为2*1015s-1,如该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV,求该原子在1s内跳跃的次数。 4.铜和硅的空位形成能Eu分别是0.3eV和2.8eV。试求T=1000K时,铜和硅的空位浓度。 6.在离子晶体中,由于电中性的要求,肖特基缺陷多成对地产生,令n代表正、负离子空位的对数,W是产生一对缺陷所需要的能量,N是原有的正、负离子对的数目。 * * 第四章 晶体的缺陷 Solid State Physics 固体物理学 1.已知钠的空位形成能Eu为1ev,试求T=300K时钠的空位浓度。 kB= 1.381X10-23 J·K-1 1ev= 1.6 X10-19 J 取1molNa(23g)中含N0个原子 2. 已知在离子晶体中,正负离子对的数目为N,n为正负离子空位的对数,E表示产生一对缺陷所需要的能量,证明:n/N=exp(-Eu/2kBT) 3.某晶体中,空位形成能为1.2ev,间隙原子形成能为4ev,求:T=1300K时,空位和间隙原子个数之比。 4. 设N为原子总数,N′为晶体中间隙位置总数,Eu为空位生成能,试求:n为弗伦克尔缺陷数的表达式。 1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异? 正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空位的缺陷称为弗仑克尔缺陷. 填隙原子与相邻原子的距离要比正常格点原子间的距离小,填隙原子与相邻原子的力系数要比正常格点原子间的力系数大. 因为原子的振动频率与原子间力系数的开根近似成正比, 所以填隙原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要高. 空位附近原子与空位另一边原子的距离, 比正常格点原子间的距离大得多, 它们之间的力系数比正常格点原子间的力系数小得多, 所以空位附近原子的振动频率比正常格点原子的振动频率要低. 4.为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量低? 形成一个肖特基缺陷时,晶体内留下一个空位,晶体表面多一个原子. 因此形成形成一个肖特基缺陷所需的能量, 可以看成晶体表面一个原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子的相互作用能的差值. 形成一个弗仑克尔缺陷时,晶体内留下一个空位,多一个填隙原子. 因此形成一个弗仑克尔缺陷所需的能量, 可以看成晶体内部一个填隙原子与其它原子的相互作用能, 和晶体内部一个原子与其它原子相互作用能的差值. 填隙原子与相邻原子的距离非常小, 它与其它原子的排斥能比正常原子间的排斥能大得多. 由于排斥能是正值, 包括吸引能和排斥能的相互作用能是负值, 所以填隙原子与其它原子相互作用能的绝对值, 比晶体表面一个原子与其它原子相互作用能的绝对值要小. 也就是说, 形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗仑克尔缺陷所需能量要低. 5.金属淬火后为什么变硬? 晶体的一部分相对于另一部分的滑移, 实际是位错线的滑移, 位错线的移动是逐步进行的, 使得滑移的切应力最小. 这就是金属一般较软的原因之一. 显然, 要提高金属的强度和硬度, 似乎可以通过消除位错的办法来实现. 但事实上位错是很难消除的. 相反, 要提高金属的强度和硬度, 通常采用增加位错的办法来实现. 金属淬火就是增加位错的有效办法. 将金属加热到一定高温, 原子振动的幅度比常温时的幅度大得多, 原子脱离正常格点的几率比常温时大得多, 晶体中产生大量的空位、填隙缺陷. 这些点缺陷容易形成位错. 也就是说, 在高温时, 晶体内的位错缺陷比常温时多得多. 高温的晶体在适宜的液体中急冷, 高温时新产生的位错来不及恢复和消退, 大部分被存留了下来. 数目众多的位错相互交织在一起, 某一方向的位错的滑移, 会受到其它方向位错的牵制, 使位错滑移的阻力大大增加, 使得金属变硬. 6.在位错滑移时, 刃位错上原子受的力和螺位错上原子受的力各有什么特点? 在位错滑移时, 刃位错上原子受力的方向就是位错滑移的方向. 但螺位错滑移时, 螺位错上原子受力的方向与位错滑移的方向相垂直. 9.晶体结构对缺陷扩散有何影响? 扩散是自然界中普遍存在的现象, 它的本质是离子作无规则的布郎运动. 通过扩散可实现质量的输运. 晶体中缺陷的扩散
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