《电荷俘获存储器阻挡层研究进展》.pdfVIP

器件与技术 II D叫ic∞钔d TechnoIOgy 电荷俘获存储器阻挡层研究进展 白 杰1’2，霍宗亮2，刘臻2，刘紫玉2，张满红2，杨建红1，刘明2 (1．兰州大学物理科学与技术学院。兰州730000I 2．中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室，北京 100029) 摘要：随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20nm节点，使用单层Si02作为 阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与 基本要求，首先，指出单层si0：作为阻挡层存在的主要问题，然后对高介电常数材料作为阻挡 层时，其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分 析，同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍，如Si02和Al：03的复合阻挡层 结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等。最后，对目前研究进展中存在的问题以及未来的研 究方向和趋势进行了总结和展望。 关键词：电荷俘获存储器(cTM)；阻挡层；高量材料；隧穿；Al：03 Research Of in ProgressBlockingLayers Memories ChargeTrapping Bai Jiet2。Huo zon91ian旷，LiuJin92，LiuZiyu2，zhangManhon92。YangJianhong。，LiuMin矿 (1．Sc^ooZ Sci口玎c￡4雄d o，P^y5ff4Z 1lr^万DZDgy，L口咒#^o“Uhi廿邮ff)，，L4竹：^o“ No俚Z 730000，C^i，ln，2．L口60r口加删D，p妇邶rFn矗一cn￡iD订n以d Mffr伽Z盯￡r0力f订，CAfMsP lo0029，C^f行口) Acdd聊yD，ScfP挖cPs，B已玎f仃g Withthenon-volatile enters20 Abstract： memory(NVM)technology memorieswiththe confrontsevere limitation． charge siojblockinglayer trapping performance Basedonthefunctionandbasic Dfthe inthe me- requirementsblockinglayers chargetrapping main ofthe are out stack，the Si02 morygrid problemssingleblockingIayerpointedfirstly．And then，the oftheband dielect“cconstant，internaldefect and impact gap， densityannealing ofthe asthe