90.立方相gan外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相.pdfVIP

( ) A 　辑 　　　　　　 　 中 　国 　科 　学 　　　 第 31 卷 　第 6 期 SCIENCE IN CHINA ( Series A) 　 2001 年 6 月 立方相 Ga N 外延层的表面起伏 和高密度孪晶与六角相 ①② ① ① 渠　波 　李顺峰 　胡国新 ① ① ① ① ① 郑新和 　王玉田 　林世鸣 　杨　辉 　梁骏吾 ( ①中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 , 北京 100083 ; ②中国科学院北京电子显微镜实验室 ,北京 100080) ( ) ( ) ( ) 摘要 　　利用扫描电子显微镜 SEM 、原子力显微镜 AFM 、透射电子显微镜 TEM n ( ) ( ) 和 X 射线衍射 XRD 技术研究了低压金属有机化学气相淀积 LP-MOCVD 的立方相 ( ) c GaN/ GaAs 001 外延层的表面起伏特征 ,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微 . 孪晶之间的联系. 结果表明外延表面存在有大量沿[110 ]方向延伸的条带状台阶 ,而 表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶 ,在表面平整的区域内其密度则 m 较低. {111} 和{111} 面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表 Ga N o 面台阶状起伏特征的根本原因. c . 关键词 　　Ga N 　极性 　表面起伏 m 闪锌矿型结构的立方相 GaN 具有较小的能带间隙 ,较高的结晶对称型 ,和低温生长等特点. p ( ) 当以 GaAs 001 为衬底外延生长时 ,还具有易解理形成激光器谐振腔镜面、后工艺可与 GaAs 工艺 s [1 ,2] 兼容的优越性. 立方相 GaN 发光二极管的研制成功已经引起了研究人员的极大关注 . . 然而 ,立方相 GaN 外延层的晶体质量仍然劣于生长在蓝宝石衬底上的六角相 GaN. 困扰 其晶体质量提高的混相问题已经得到了广泛研究[2～4 ] ,但立方相 GaN 外延层上严重的表面起 w 伏现象尚未得到足够的