三相桥式全控整流电路课程设计论文.docVIP

第1章 课程设计目的与要求 1.1课程设计目的 “电力电子技术”课程设计是在教学及实验基础上，对课程所学理论知识的深化和提高。因此， 1）培养综合应用所学知识，设计出具有电压可调功能的直流电源系统 2）较全面地巩固和应用本课程中所学的基本理论和基本方法，并初步掌整流电路设计的基本方法。 培养独立思考、独立收集资料、独立设计的能力； 培养分析、总结及撰写技术报告的能力。 1.2 熟悉电力电子技术课程、电机学课程的相关知识。 1.3 课程设计要求 1、单相桥式相控整流的设计要求为： 负载为感性负载,L=700mH,R=500欧姆. 2、技术要求: 1)、电源电压：交流100V/50Hz 2)、输出功率：500W 3)、移相范围0o~90o 按课程设计指导书提供的课题，根据基本要求及参数独立完成设计。 第2章 课程设计方案的选择 2.1整流电路 单相相控整流电路可分为单相半波、单相全波和单相桥式相控流电路，它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。带电阻性负载、电感性负载和反电动势负载时的工作情况。 电感性负载 电路简图如下： 图2.1 此电路对每个导电回路进行控制，与单相桥式半控整流电路相比，无须用续流二极管，也不会失控现象，负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负两个半周电流方向相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变压器直流磁化问题，变压器的利用率也高。 单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。 ? 单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路2倍，在相同的负载下流过晶闸管的平均电流减小一半且功率因数提高了一半。 根据以上的分析选择的方案为单相全控桥式整流电路（负载为阻感性负载）。 2.2.1晶闸管 晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流（Silicon Controlled Rectifier-- SCR），开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频（200Hz以下）装置中的主要器件。晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型--普通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件。 1）晶闸管的结构 晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。引出阳极A、阴极K和门极（或称栅极）G三个联接端。 内部结构:四层三个结如图2.2 2）晶闸管的工作原理图 晶闸管由四层半导体（P1、N1、P2、N2）组成，形成三个结J1（P1N1）、J2（N1P2）、J3（P2N2），并分别从P1、P2、N2引入A、G、K三个电极，如图1.2(左)所示。由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成如图2.3（右）所示的两个晶闸管T1（P1-N1-P2）和（N1-P2-N2）组成的等效电路。 图2.2晶闸管的外形、内部结构、电气图形符号和模块外形 a)晶闸管外形 b)内部结构 c)电气图形符号 d)模块外形 图2.3 晶闸管的内部结构和等效电路 3）晶闸管的触发条件 晶闸管 （2）：晶闸管 （3）：晶闸管 （4）：要使晶闸管 晶闸管的驱动过程更多的是称为触发，产生注入门极的触发电流ＩＧ的电路称为门极触发电路。也正是由于能过门极只能控制其开通，不能控制其关断，晶闸管才被称为半控型器件。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 2.2.2 可关断晶闸管 可关断晶闸管简称GTO 可关断晶闸管的工作原理 图1.3 GTO的结构、等效电路和图形符号 GTO的导通机理与SCR是完全一样的。 GTO一旦导通之后，门极信号是可以撤除的，在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不像普通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断。 GTO在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流（即抽出饱和导通时储存的大量载流子），强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 晶闸管具有驱动简单 第3章 主电路的设计 3.1系统总设计框图 系统原理方框图如3.1所示： 图3.1系统原理方框图 3.2系统主体电路原理及说明 图3.2阻感性负载电路（a）） ，工作于稳定状态，负载电流连续，近似为一平直的直线。 (1) 工作原理 正半周期，时触发过零变负时，电感上的感应电动势使VT1、VT2继续导通，直到VT3、VT4被触发导通时，VT1、VT2承受反相电压而截止。输出电压的波形出现了负