《一种增益可控型LR-WPAN CMOS功率放大器》.pdfVIP

第 43卷 第 5期 南 开 大 学 学 报 (自然科学版) V01．43 N95 2010年 1O月 ActaScientiarum Naturalium UniversitatisNankaiensis Oct．2010 文章编号 ：0465—7942(2O1O)O5一OO41一O5 一 种增益可控型 LR—WPANCMOS功率放大器 韦保林，戴宇杰，张小兴， 吕英杰 (南开大学 微电子学研究所 ，天津 300457) 摘要：设计了一种可适应于低速率无线个人区域网(LR—WPAN)的增益可控AB类 CMOS射频功率放大 器．通过两位数字状态位实现三级增益及输出功率控制，采用片上集成电感和电容实现负载 LC回路，有效地提 高电路的集成度．采用 0．18pmCMOS工艺设计并利用 SpectreRF在 2．4GHzISM 频段仿真，实验结果表明， 该功率放大器具有较好 的性能指标 ，最小 参数为 13．7dB，最小输 出三阶截断点 (POIP3)为 6．74dBm，在输入 功率为一10dBm 时最小功率附加效率 (PAE)为 14．3％，满足 LR—WPAN发射模块的要求． 关键词 ：AB类 RF功率放大器 ；Cascode结构 ；低速率无线个人区域网(LR—WPAN) 中图分类号 ：TN722．3 文献标识码 ：A 0 引 言 近年来，工作于2．4GHz频段的单片低功耗 CMOS收发机芯片因其电池使用寿命长、低成本而引起 广泛的关注 ，并出现了多个应用于短距离无线通信 的IEEE标准 ，如Bluetooth、IEEE802．1lx、IEEES02． 15．4(LR—WPAN)等等．在这些无线通信系统中，多数是采用多芯片实现 (如蓝牙 、WLAN)；然而，将射频 收发前端以及基带电路集成于单片CMOS芯片中是实现低成本、低复杂性和低功耗无线通信的最佳解决 方案．实现短距离无线通信的CMOS单片集成的最大挑战是发射机中的功率放大器 (PA)模块的设计 ，这 是因为在 PA设计 中需要对 电源电压 ，输出功率、功率转换效率以及线性度等进行折衷考虑 ，有时这些 问 题可能会伴随着频谱效率的问题而变得更为复杂口 ]． 采用 0．18 mCMOS工艺 ，设计了一种工作于 2．4GHzISM 频段 、应用于低速率无线个人区域网 (LR—WPAN)芯片的AB类 cascode可控增益功率放大器 ，并采用 SpectreRF进行仿真验证． 1 功率放大器的分析与设计 射频(RF)功率放大器分为线性放大器和非线性放大器两大类．线性功率放大器主要有A、B、AB、C 四种类型，它们的主要差别在于因偏置情况不同而导通角不同．这类传统的功率放大器具有较高的线性 度 ，但效率低．非线性功率放大器主要是开关模式放大器，主要有 D、E和 F三种类型Is3．在这一类放大器 中，晶体管等效为受输入矩形波控制的开关 ，开关导通时有 电流经过 ，若保证管子饱和导通，其导通电阻很小 ，开关两端 输X~lilI。l放大电路和到 I输出匹配 的电压很小，甚至趋近于零 ；开关断开时，电流为零 ；这类功 R 网络 抗变换电路广1 网络 率放大器中晶体管的端电压和漏电流同时为非零的时间很 短，因此管子的耗散功率很小 ，从而能提高放大器的效率．无一 偏置电路 论是线性还是非线性 RF功率放大器 ，一般都包括输入匹配 网络、晶体管放大电路 、阻抗变换 网络 、直流偏置和输 出阻抗 图 1 RF功率放大器结构框 图 匹配网络等几部分构成，结构如图 l所示． Fig．1 Block diagram ofRF poweramplifier 收稿 日期 ：2010—03—12 基金项 目：国家科技支撑计划 (2006BAD30B08) 作者简介：韦保林 (1974～)，男，广西武鸣人，博士研究生 ·42 · 南 开 大 学 学 报 (自然科学版)