多晶硅太阳电池培训.ppt

扩散重要衡量数据方块电阻： 方块电阻：就是表面为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻。 生产规范： 1、扩散上、下片时，规范操作，轻拿轻放，过程中硅片不得撞击石英舟槽、舟杆,舟壁 (严禁听到硅片撞击石英舟的声音) 2、注意工艺卫生，及时更换PVC手套，严禁手直接接触硅片。 3、工作现场禁止进食和饮水。 生产关注点： 电阻大小控制 温度曲线，工艺程序运行是否正常（时间，温度） 炉门密封性 磷源（源温，磷源剩余量，漏液） 极差控制 炉门密封性 温度补偿 调整气流配比(N2；O2；LN2) 少子寿命控制 炉管以及舟的清洗，饱和 操作规范性，人为污染 设备因素 中途跳闸，中途降温 温度、流量异常 尾管不热（尾管堵塞） 尾管热，炉内尾管断裂 均流板 保温棉 偏磷酸污染 操作因素 程序加载错误 程序跳步 提前结束 提前运行 水痕，指纹等污染导致的颜色异常片 注意事项： 注意扩散炉高温危险。 保持扩散炉台面的清洁。 保持生产用具的清洁。 定期清洗石英炉管、石英舟等物件。 按照净化间要求着装。 装、卸硅片时，需带棉布和PVC双层手套， 刻蚀 目的： 经过SCHMID化学溶液刻蚀的处理，将扩散后硅片的背面和边缘进行刻蚀，去除PN结（只保留正面的PN结），同时去除正面的PSG（磷硅玻璃）。 水洗 SCHMID刻蚀 镀膜 刻蚀 扩散 碱洗 HF酸洗 水洗 吹干 水洗 刻蚀流程： 刻蚀原理： 同制绒原理。 去PSG原理： 　　　扩散过程中在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 1、腐蚀深度，即硅片减少的厚度（腐蚀速率） 工艺关键控制点： 2、溶液配比，自动补液量 3、温度(制绒槽反应的温度) 4、带速，烘干情况等 刻蚀：通过HF-HNO3溶液与硅片的化学反应去除边缘及背面的P-N结。 腐蚀深度：通过称量SCHMID刻蚀前后硅片的减重量（g）计算出的硅片单面腐蚀厚度（um）。 目的：降低反射率，对硅片表面进行钝化。 等离子的概念及其优势：等离子体-电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态。CVD(化学气相沉积）通常需要较高温度，等离子体可以显著降低反应温度，降低生产成本。 PECVD（等离子增强化学气相沉积） PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 原理： 按镀膜方式分类：直接法（ Centrotherm），间接法（RothRau） 直接法—管式炉：Centrotherm。硅片直接接触等离子体，直接作为电极的一部分。石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。 优点:成膜均匀致密，并可以改善某些物理特性； 缺点:(1)对硅片表面有损伤(微观结构）； (2)硅片表面特性（角锥体等）影响辉光放电，电导率 影响等离子场均匀性； (3)PECVD的气流是从石英管一端引入，这样也会造成工 艺气体分布的不均匀。 一、PECVD的认识 间接法—平板型：RothRau。待沉积的硅片在等离子区域之外，等离子体不直接打到硅片表 面，硅片也不是电极的一部分。使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气， 产生SiNx分子沉积在样品表面。 优点：(1)频率高，沉积速率比直接的要高很多，产量大； (2) 表面损伤小； 缺点：(1)频率高，难以达到大面积均匀性； (2)