feslt;2gt;薄膜的织构及光电性能.pdfVIP

摘 要 立方晶系的FeS2具有合适的禁带宽度，较高的光吸收系数，元素储量丰富， 环境相容性好，制备成本较低，是一种较有研究价值的新型太阳能电池材料。 本文采用Fc膜硫化法制备了FeS2薄膜，研究了FeS2薄膜的基底、厚度和硫 化时间对薄膜织构的影响，分析了不同晶粒尺寸的FeS2对薄膜的电学性能和光学 性能的影响。同时本文采用溶胶．凝胶法和浸渍提拉技术制备n02纳米晶薄膜，采 用电沉积硫化法在币02多孔膜上制备FeS2薄膜，从而制备出FeS2门fi02复合膜， 并分析了不同电沉积时间和不同硫化温度对FeS2厂n02薄膜的组织形貌以及光电化 学性能的影响。主要研究结果如下： 基底、厚度、和硫化时间对FeS2薄膜的织构有不同的影响。触(111)基底生长 的FeS2薄膜具有较高的(200)取向度，Si(100)、Si(111)两种基底生长的FeS2薄膜各 织构。随着厚度的增加，FeS2薄膜上层柱状晶的比例逐渐增大，薄膜(311)的择优 取向程度增加。硫化时间的变化导致了晶界面积的变化，从而制约了FeS2薄膜的 h后择优取向程度 织构。10-20h硫化时间段内薄膜择优取向程度大幅降低，而20 基本稳定。 不同晶粒尺寸的FeS2薄膜均为p型导电。薄膜的电阻率随晶粒尺寸的增加大 致线性增加，而载流子浓度则和晶粒尺寸大致成反比关系。此规律可以根据晶界 引起点缺陷产生这一机制推导出来。随着晶粒尺寸的增大，光吸收系数先增加再 下降，禁带宽度变化的规律和吸收系数的变化规律十分相似，这样的规律是由过 渡相和晶界作用引起的。 对于不同电沉积时间制备的FeS2仍02复合膜，随着沉积时间的增长，光电流 先增长然后再下降，这与FeSi薄膜的覆盖程度及致密程度有关。对于不同硫化温 度制备的复合膜。随着硫化温度的增大，Fes2薄膜的晶粒尺寸相应增加，光电流 先增加后减小，这主要和FeS2薄膜的结晶度和致密程度有关。 关键词：FeS2薄膜，织构，晶粒尺寸，光电性能，光电流 Abstract ．Ik acubic polycrystalli鹏FeS2 s)rstemh弱Sllown觚iIIlp0衄lt Q)rrite)晰廿l t0 caIldidatefortllem跚mfacttlreofs0I觚 researchV司ue deVelopiIl_to．apronlising to cellsdueitSsuita【ble b髓d coe硒ci髓t， 髓lefgy er嗽翟y gap，high0pticala_bSo堆tion 出m￡bntcom洒tuentresourCein low cost． preparation hnlis ttlinfihns mesis，meFeS2 w饿prep锄嗣by也e姗alSm蛐也e of e船cts pfecurSo巧Fe丘lllls．1k teXturewere and of filIIls inVestigated．ElectricalopticalprcIp嘶espyr硷缸lin iIlfl啪cedme sizeswerealso thinfihnSwere2Lls0 by by grain arlalyzed．Ti02 prepared