ia族元素（l、na）掺杂的p型znlt;，1-xgt;mglt;,xgt;o薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

摘要 Zllo是II．VI族宽禁带半导体材料，室温下直接禁带宽度约3．3eV，激子结 合能高达60mev，可以实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。目前，znO 是光电材料领域的研究热点，其p型电导掺杂和能带工程更是研究的重点。将 ZnO和MgO形成半导体合金薄膜，在保持六方纤锌矿结构不变的同时，可以通 势垒层材料，p型ZnI洲g如也可以直接用作紫外发光材料，制备短波发光二极 管(LEDs)和激光器(LDs)等。 本文分别选择Li和Na作为Znl枷gp的p型掺杂元素，采用直流反应磁控 溅射方法和脉冲激光沉积技术(PLD)，制各p型Znl划gp薄膜。主要的研究工 作如下： 1．通过直流反应磁控溅射方法成功制备了高质量的Li掺杂p一压l捌gp薄膜 Oc=0．04，O．16)，研究衬底温度、退火温度、“掺杂含量和Mg合金含量对 Znl．xM＆O薄膜结晶质量、电学性能、光学性能的影响。退火处理能够提高 薄膜的结晶质量和p型电学性能， 过500 Qcm，空穴 oC退火处理后，获得最优的p型导电性，电阻率为72．3 浓度达到1．49×1017锄o，空穴的霍耳迁移率为O．58cm2V。1s～。此外，提高 Mg含量，薄膜的p型电学性能随之降低，但是增大了薄膜的禁带宽度(蹦。 所以，我们不仅利用“掺杂制备了p型Znl划g如薄膜，而且成功实现了 乃lo薄膜禁带宽度的调制。 2．采用脉冲激光沉积技术制备Na掺杂的PZnI轴他O薄膜(萨0．1，O．2)，探讨了 衬底温度、生长气压和Mg含量对Znl-xM甑O薄膜的结晶质量和光电性能的 oC、氧压为48 影响。在衬底温度为650 Pa时，获得的zIlo．8Mgo．20：Na薄膜 具有较好的结晶质量和最优的电学性能，薄膜不仅呈现出稳定的p型导电性， cm4， 而且电阻率达到最低值，为60．34Qcm，空穴浓度达到最大1．56×1017 空穴的霍耳迁移率为O．67 l 膜的禁带宽度，随着Mg含量的增加，薄膜带宽增大，同时导致相同受主的 能级也越深。最后我们在单晶硅衬底上生长Pzn0．sM勖．20：Na／刀-zno：舢异 质结，其二y特性曲线表现出了明显的整流特性，从而进一步证明Na掺杂 Znl划g如薄膜的p型导电类型。 关键词： 脉冲激光沉积(PLD) 11 童霪蓁篓羹蘩霎萋塑篓 蒂粤型堕 三雾霪薹薹主；季丑酗蓁晕霪是霎室霎；霉三；酾；蘑叠藿蓄零毫l。。雾囊冀l翼囊墅；霪霎!掣垂li塞委；茎妻叁ll茎耋耋圣， 鋈姜蓁二雾蓁!垃霓蓁|}蓁萋萋薹。 l§霍j耄：薹蚕ii蚕冀；冀。羹萋墼萋囊i擎；；雪羲l|匡i霪iii羹雾霉霞鬟萎蓿l窭窭奏i障障t囊娑蚓jl型蠡蘸羹 |ll羹蓁如辇糍季雪1鬃箩蟊蠢|骂雩l茎i羹鬟i冀一薹i主垂雾丽囊翼i鏊鋈雾夔；il!l翼奏ll辇霉要i磐l垂室d冀翼．叁i墓耋 Ⅵi爹薹霎霎li霉霎|l薹壹：i蠡蠡l琵琴；lli薹孽趟塑强=黧日型l|l尹|薹||=薹砉砉；璧一堑塞蓁i!蓁薹蓁勺：囊廷疆|萋|蓁雾霎副§ 譬蓁薹R。 ii霎l茎=露薹羹!!|蓄；塞；萋至型；囊喾蓠；霎M}{{{雾j丞。羹霪§爹霪妻l霉÷耋iii塞雾÷88；鬈；攀彻萎警二i霎： 甏t三二三霞四鬻；霈蘩爨蠢薹雾≤≤Z翟渤交囊晤蕈蓄渊重薹t莎凶蓁嚏奏粪塾虿葶学i§|雾美冀蓁薹i_茎；；l!!冀 l墨毳萋冀羹ll蓁蓁霪il‰薹?蠼治冀!；蓁薹蓁雾；要饕奠；雾|l|l蓁霎霎|l|曼霆曼。 l!蓁!磊；薹矗薹霪霪鍪囊l；辇二配：蓁霎萋鋈|；薹：妻。羹；i塞雷；薹；菊薹篓i墅骂ii|；霉u霎i蠢i鬈竺!|!复篓l|霪iii雾荔荔 浙江大学硕士学位论文 前言 第一章前言