pld（脉冲激沉积法）制备zno基稀磁半导体薄膜及其性能研究.pdfVIP

摘要 DMS(稀磁半导体)同时应用了电子电荷和自旋性质，因此可以直接与现有 的半导体器件集成，可以用来制备各种超低能量消耗高密度的信息存储器、逻辑 器和自旋偏振光发射器等集成了光、电、磁功能的新型器件。稀磁半导体是具有 自旋极化的半导体，通常稀磁半导体的制备是采用少量3d过渡族元素掺入到半 导体材料中使之产生铁磁性，而同时保持其半导体特性。Dietl等人采用平均场近 似从理论上预言了几种可能达到室温的铁磁半导体材料，包括ZnO和GaN基化 合物。正是在此预言的影响下，Z110基稀磁半导体，也称为3d族元素掺杂znO基 材料，成为近年来研究热点之一。 氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3．37 eV，激子束缚能高达60meV，其激子能够在室温及以上温度下稳定存在，是制备 热稳定性好，外延生长温度低，抗辐射能力强，来源丰富，成本低廉，无毒无污 染等优点，并且由于ZnO晶体的极性生长特征，过渡组金属离子易于掺杂，可制 备性能良好的稀磁半导体，近来年成为稀磁半导体主要研究材料。 本文在总结了ZnO基稀磁半导体材料及其器件研究现状的基础上在Si (100)、石英以及玻璃衬底上生长过渡金属离子等掺杂的ZnO薄膜。主要的研 究工作如下： 1．单独掺杂Co元素的ZnO薄膜的制备与表征。采用PLD方法在Si衬底上生 长Co掺杂的znO薄膜，通过改变温度、压力，摸索生长Co掺杂ZnO薄膜的较 佳的生长条件，发现磁性对于温度比较敏感，但是也没有发现与生长温度相关的 规律，并研究晶体质量对磁学性能的影响。 2．为了提高稀磁半导体材料的饱和磁化强度以及居里温度，采用Co、Mn共 掺杂的办法，制备得到薄膜样品，并对其形貌结构、磁学性能等进行表征，探索 Co、Mn共掺杂的机理，但是并没有提高其磁化强度，可能是因为Co的掺入量减 少以及掺杂量增加导致反铁磁耦合增强的缘故。 3．为了研究载流子对磁学性能的影响，以便探究稀磁半导体材料磁性来源， 我们分别在笑气气氛下以及Co、Ga共掺杂，制得不同导电类型的Co掺杂ZnO 薄膜，并对薄膜的形貌结构、电学性能、磁学性能进行表征，探索稀磁半导体材 料磁性的来源，相比之下，p型电学环境更加有利于室温稀磁的产生。 关键词：脉冲激光沉积法，ZnO薄膜，Co掺杂，铁磁性 一Il— Abstract DMS(dilutedmagneticsenliconductor)caIl tlle d沁ctlyintegrated、)I，imexisting ∞IIliconductordeVicesdl圯t0廿le ofbomtlleelec臼oIlic application charge孤dspill c孤beusedtomanuf．acture iIlfomation m岫鹋，and lligll—deIlsit)r memo巧，lo西c deVicesandtlle oful仃a-low spin-polarizedlight的nsmitter energyconsumption， which arc newdevices．Diluted optical，electricaJ锄d magnetic访te鲈ated ma咎1etic seIIliconductoris a SpiIl—pol捌 diluted semiconduCtor，姻脚lyma朗etic semiconductorisasemiconductormaterial埘mthe ofasmallmm慨r