单晶ni-mnga孪晶界迁动机制研究及应力诱发马氏体相变模拟.pdfVIP

单晶Ni．Mn．Ga孪晶界迂动机制研究及应力诱发 马氏体相变模拟 摘要 Ni2MnGa铁磁形状记忆合金既有大的可逆应变，又有较高的响应频率，作为一种 新型的形状记忆合金受到了广泛的关注和研究。在晶体结构、基础磁学性能、合金中 的相变以及磁致应变表象机制等方面，都取得了显著进展，但是对于决定形状记忆效 应的微观机制尚未进行深入的探讨。本文通过内耗和高分辨透射电子显微镜等研究手 段，对Ni2MnGa马氏体中的界面结构进行了研究，讨论了影响孪晶界迁动的阻力因素 以及得到较佳形状记忆效应的条件，最后，尝试使用有限元方法对Ni2MnOa应力诱发 马氏体相变进行了动态模拟和讨论。 对Ni2MnGa马氏体的组织结构进行了观察，马氏体变体内部有条状的孪晶亚结 构。当材料经历一次升降温，发生逆相变和马氏体相变后，新生成的马氏体变体的取 向与原有变体的取向不同，浮凸相互交叉。预测如果对材料施加外力使之变成单变体 马氏体，则具有最大的形状记忆效应． 马氏体不同变体之间的界面属于自由界面，并不存在孪生关系。在高分辨原子像中观 察到大量的刃位错，结合文献预测，在外场作用下，位于{112}孪晶面上的位错会沿 11l方向运动，从而使孪晶界发生迁动，而其他位置的位错会对孪生位错的运动产生 阻碍作用。在5M马氏体中观察到7M马氏体，这可能是由于两种调制结构之间转变所 需的能量较低引起的。 在马氏体相变和逆相变时，均有明显的内耗峰。内耗峰的峰位不随频率的改变而改 变，峰高随着频率的增加而降低。与马氏体相变相关的内耗峰要高于逆相变的内耗 峰，这是由于马氏体相变时，有大量的李晶形成，界面形成和运动的过程会使内耗峰 明显增高。在马氏体相变和逆相变时，均有模量软化的现象，但模量并没有降低到 零，只是出现局部软模。 在马氏体相变温度之下观察到与相变无关的内耗峰，内耗峰的峰位随着频率的增 加向高温方向移动。初步判定，所观测到的内耗峰是与孪晶界迁动相关的弛豫峰。根 据Arrhenius方程，计算所得激活能为0．6eV，这个能量是孪晶界迁动时需要克服的能 垒，能量的大小与材料的结构以及材料处理状态有关。 基于Idesman等的应变软化模型，在二维情况下，用有限元的方法对外力单向加载 下的单晶Ni2MnGa立方一四方马氏体相变过程进行了动态模拟。为简单起见，仅选取 两种马氏体变体，并保持温度参数不变。结果显示，生成的两种马氏体变体的体积分 数与外力加载的方式有关。在外力作用下，有利取向的变体逐渐长大，不利取向的变 体逐渐缩小。在相变的过程中，相变前期生成的一部分马氏体变体可能会在相变后期 发生逆相变而重新转变为奥氏体，这主要是由于应力作用使这部分区域逆相交驱动力 增大造成的。当材料某处存在缺陷时，会产生一定的应力集中，从而使相变由该处首 先发生，马氏体会将沿某几个特定方向生长，直至材料边缘处。这种方法可以对较大 尺寸(大于100nm)材料在应力作用下组织形貌的演变进行预测，为工程实际应用提 供了有效的参考和帮助。 关键词：Ni．Mn．Ga，铁磁形状记忆合金，孪生位错，有限元模拟 U Researchonthemechanismofthetwin motionof boundary Ni--Mn-·Ga andthe singlecrystals simulationofstress-·induced martensitic transformation Abstract As ancwclassof shape memoIyalloy,Ni2MnOaferromagneticshapememory alloy both reversiblestra