减少光学元件亚表面缺陷的方法研究.pdfVIP

第 38卷第 5期 光 子 学 报 Vol_38NO．5 2009年 5月 ACTA PH ()T()NICA SINICA M ay2009 减少光学元件亚表面缺陷的方法研究 项震 ，赵亚洲 ，侯晶，葛剑虹 (浙江大学 现代光学仪器 国家重点实验室，杭州 310027) 摘 要：针对强激光光学元件的应用要求，对光学材料在研磨和抛光过程中形成的亚表面缺陷进行 了分析，并借鉴小工具数控抛光和 Marangoni界面效应，提 出采用数控化学刻蚀技术来实现光学 表面面形和微结构形貌的高准确度加工．通过实验对亚表面缺陷的分布位置和特性进行 了分析，实 验验证了在静止和移动条件 下 Marangoni界面效应的存在．对材料的定量去除进行 了实验，提 出 了亚表面缺 陷的去除方法． 关键词：化学刻蚀 ；Marangoni界面效应；亚表面缺陷；抛光 中图分类号：TN244 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4213(2009)05—12265 0 引言 缺陷将导致激光电磁场 的调制 ，会使元件 的损伤 阈 值降低 ，在高功率密度的系统 中极易导致光学元件 目前，实用先进光学制造技术主要以使用旋转 的损伤．这种缺 陷通常分布在表面以下几百 nm至 抛光盘的小工具数控抛光技术为代表．这种抛光技 几百Min范围内．根据LINI亚表面层理论模型，光 术均依赖于需校准的材料去除率 ，在加工过程 中需 学元件 表 面结 构分 为：1)抛光 层，深 度在 0．1～ 对工件反复进行测量一加工一测量 的过程 ，批量化成 1uin，主要在元件抛光 阶段 引起；2)缺 陷层，缺 陷 本较高．散粒磨料小工具抛光技术在加工过程 中由 层 ，深度在 l～100 m，主要在元件研磨加工阶段 ； 于存在局部的机械应力，因而无法加工超薄的元件． 3)变形层 ，深度在 1～2()(]x／m，主要在元件初成型阶 此外 ，还有丽个待解决的问题 ：1)数控抛光过程容易 段引起 ；4)光学材料本体． 形成小尺度的碎带误差 ，在高功率激光应用 中可能 1．1 SSD 的不 同表现形式 形成严重的非线性增长，从而形成损伤；2)抛光过程 光学元件在不 同的传统研磨和抛光工艺下，所 中使用了抛光粉等辅料，容易造成光学表面的亚表 形成的亚表面缺陷的形态及深度有一定差异．主要 面缺陷(SubsurfaceDefect，SSD)，在高功率密度的 影响的参量较多，例如工件表面的压强 、研磨及抛光 系统中也易导致光学元件的损伤． 的时间、磨料型号的选取情况等等． 因此，寻找可控性强、加工机制单纯且能够很好 图 1是对不同厂家提供的熔石英基片样品，分 地抑制亚表面缺陷产生的化学刻蚀技术是能否应用 别利用 HF酸均匀腐蚀 1 m的表面厚度后进行检 于强激光系统的关键．本文借鉴小工具数控抛光基 测 (将同样大小 的样品浸没在 5 的氢氟酸缓冲液 本工艺思想的湿法化学刻蚀方法 ，利用 Marangoni 中，温度 27℃，5min，使用搅拌器保证在溶液 中不 界面梯度效应来进行抛光过程控制．这种 “数控化学 同位置氢氟酸的均匀性)，图中是对24 m×30l m 抛光”在光学制造原理上是一种新的尝试 ，由于采用 的局部区域的面型测量，图 1(a)具有明显 的图带状 液体腐蚀的方法，可有效避免及消除工件的亚表面 缺陷 ，图 1(b)是较为纯粹 的点状缺陷．利用原子力 缺陷，并且可 以