大面积MCP-PMTK2CsSb光电阴极理论与测控技术研究.pdfVIP

第35卷 第8期 红 外 技 术 V_01．35 NO．8 2013年 8月 InfraredTechnology Aug． 2013 (综述与评论 大面积MCP．PMTKzCsSb光电阴极理论与测控技术研究 常本康 (南京理工大学 电子工程与光 电技术学院，江苏 南京 210094) 摘要：针对 SBA／UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所 380~510am转换波长的闪烁体，分 别从 K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第 一 性原理计算结果表明，双碱光电阴极 KCsSb-25是直接禁带半导体，能带弯曲最大，功函数最 小；中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在 380~510nm，可以确定双碱阴极透射式工 作范围在2．92～3．26eV，反射式工作范围在2．43~2．92eV；针对球形光电倍增管结构，提出了透射 式与反射式阴极量子效率最大化方案和Kll75CsSb125阴极6点监控制备方法，给出了测试方法。 关键词：光电倍增器；光电阴极；第一性原理；能带结构；制备工艺 中图分类号：0462．3 文献标识码：A 文章编号：1001—8891(2013)08—0455—08 TheoryandControlTechnologyofLargeAreaM CP—PM TK2CsSbPhotocathode CHANGBen—kang (Schoolofelectronicengineeringandoptoelectronictechnology，NamingUniversityofScienceandTechnoloyg， Naming210094，China) Abstract：K2CsSbphotocathodewerestudiedfrom firstprinciple，structureoptimization，aswel1asthe materialgrowthmechanism andcontroltechnologyetc．，forSBAU／BA photocathodeandscintillatorof 380—510nm wavelengthconversionofHighEnergyPhysicsInstiutteoftheChineseAcademyofSciences Thefirstprinciplecalculationresultsshow thatthedoublealkaliphotocathodeK175CsSbl25isadirect ． band gap semiconductor，hasmaximum bandbendingandminimum work function．According tothe spectralrangeofemissionphotononinteractneutrinowithscintillator，wecandeterminethedoublealkali cathodetransmission—modeworksintherangeof2．92—3．26eV．reflecting-modeworksin2．43—2．92eV． Based on the sphericalphotomultipliertube structure，we present scheme ofmaximizing quantum efficiency ofthe transmission and reflection