低温下硫化铋纳可控合成及机理研究.pdfVIP

摘 要 本论文主要围绕半导体材料Bi2S3的低温合成及其微结构控制展开研究。具体内 容如下： 等表征手段分析证明：所得到的产物为正交晶型，且结晶性较好，纯度较高；通过使 tim， 用透射电子显微镜(TEM)N试分析，得知产物为形貌均一的纳米带，直径为10—20 长度为5lun左右，长径比较大：通过紫外．可见光谱分析，根据(仅厅V)2～伽的关系曲 eV， 线，得到Bi2S3纳米带的魄约为1．67eV，与块体Bi2S3(1．3eV)相比增加了0．37 在光电领域有潜在的应用价值。 反应24h，成功制备得到刺猬状硫化铋微晶，TEM和SEM显示：所得的刺猬状硫化 铋微球直径为2-3pro，表面为直径约为10rim的纳米棒束组成。 DMF溶液在室温下混合，然后在80C水浴中反应12h，制备得的线球状硫化铋微球， 这些微球直径也是2-31un，但与前一种不同的是，它是有大量直径约为10rim的纳米 带组成。 80℃水浴中反应12h至48h，成功制备出梳状和刺球状的硫化铋纳米晶。采用XRD， 子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对合成产物的形貌进行了表征：前一种方法 得到了大量形貌均一的梳状产物，其组成单位，硫化铋纳米棒直径不到10rim，后一 种方法得到的是由纳米棒组成的球状团聚体，其直径为2-5pro。 最后，通过正交对比实验，研究了在各种条件下产物的结晶度和形貌变化，探讨 了各种反应条件对产物形貌的影响及其形成机理。 关键词：Bi2s3；纳米材料；半导体：微结构 Abstraet 硕：t论文 Abstract Inthis atalow andmicrostructurecontrolof dissertation，the preparationtemperature semiconductorwere themaincontentsandresultsalediscussedas Bi2S3 studied，and follows： Bismuth withuniformsizehavebeen the sulfide(Bi2S3)nanoribbons preparedby reactionofbismuth sodium nitrate((Bi(N03)3)‘5H20)and 60—80℃for havebeencharacterized 24h，The (xanthate，C3H70CSSNa)atproducts by showthatthe totheorthorhombic XRD，EDS，Raman，whichproductsbelong Bi2S3 phase andthe are electron reveal productshighlypure；Transmission theribbon—like of adiameterinthe of10—20nnlanda appearanceBi2S3、航th