可溶性无机盐溶备SrBilt;,2gt;Talt;,2gt;Olt;,9gt;铁电陶瓷薄膜的研究.pdfVIP

可溶性无机盐溶液源制备SrBi：Ta：O。铁电陶瓷薄膜的研究 摘 要 f最近几年以来，非挥发性随机存储CNVRAM)铁电薄膜材料迅猛发展，这 种材料与硅集成的存储元件，具有读写迅速、非挥发性耐久存储、抗辐照、低 功耗等独特性能，成为下一代计算机记忆存储的核心器件。以前在这方面使用 它们具有较高的居里温度，可以制成高极化强度、低开关电压的性能优异的器 件。然而这种材料铁电抗疲劳性能差，在多次开关以后，电容性能退化，导致 器件功能失效，严重影响使用寿命。近几年先是在欧美等国，开发使用了层状 类钙钛矿结构氧化物铁电薄膜材料，使上述困难得到极大的改善甚至消除。层 状类钙钛矿结构氧化物铁电薄膜材料目前主要研究的对象是SrBi：1k0。系材料 及其变异体，由于这类材料结构上的特殊性，使它们在性能上表现出极大的优 越性，如极化开关使用10”次仍未显疲劳现象，并有优异的保持性和低的漏电 、 流特性，成为非挥发性铁电记忆薄膜的较理想材料。孓 ／ 本文结合国家自然基金重大项目“敏感陶瓷薄膜制备方法、结构与性能关 系”课题内容，首次采用可溶性无机盐为原料，以液相的溶胶一凝胶工艺和气 相的微波等离子体化学气相沉积工艺，制备出了SrBi：TarO，系铁电陶瓷薄膜， 并对制膜过程机理、影响因素、性能特性等进行了系统研究。 本文首先选用可溶性无机盐原料替代传统的金属有机物盐类作SrBi：1也O， 薄膜的前驱体o／通过筛选，采用硝酸锶、硝酸铋、氟钽酸为基本原料，通过使 用柠檬酸--EDTA--7,--醇混合型络合剂，成功地制备出适合溶液法制膜的均匀 稳定溶胶。利用红外光谱、x衍射及扫描电镜等手段，证明柠檬酸主要起络合 金属离子作用；EDTA除辅助交联金属离子外，主要用于调节pH值；而乙二醇 用来聚合柠檬酸和EDTA，防止氢键产生，起稳定溶胶作用。在此溶胶体系中， 溶质浓度对形成高质量的薄膜对很大影响，实验发现，浓度过高，对溶胶的稳 定、溶胶向凝胶的转变、薄膜的开裂等都有影响；浓度过低，成膜效率降低也 易开裂。通过实验分析，确定出了0．1mol／l的溶胶为制备SrBi：1也0。薄膜的较 合适浓度范围。斗 ／ 本文接着对采用溶胶一凝胶工艺制备的SrBi：耽O，薄膜进行了深入的研 究。／通过x．衍射和SEM手段对薄膜的开裂情况、成相情况、表面形貌、晶面 ＼、 取向及致密性等的观测，发现影响成膜质量的因素主要有两个，一是衬底的性 质，相对AI：O，衬底，在Si／SiOJTi／Pt基片上覆膜更容易获得均匀、致密、连续， 适于外延生长的铁电薄膜。二是第一次覆膜相对其它次覆膜有其特殊的作用， 第一次覆膜与基片间的吸附、化学作用、以及最后成膜，都与其它次成膜有本 质的不同。在Sol—Gel法制备的SrBi：Ta：O。薄膜中，组成与工艺对薄膜有很大的 8／2 敏感性。通过实验对比分析，探讨出Bi过量30％，Sr／Bi=0 2，在流动的氧 化气氛下于750。C烧结40min为较佳制备条件。从而获得在10kHz下，介电常 数与损耗分别为225和o045；在施加±3 5V电压下，矫顽电场和剩余极化值 6u 分别为76kV／cm，9 C／cm2的铁电SrBi2Ta209薄膜。3 本研究中首次提出采用溶胶雾化为反应源，利用微波等离子体化学气相沉 积技术制备薄膜的新思路。经超声波雾化满足化学计量比的液相源，在高温等 ＼ 离子体反应腔内经气化、化学反应、固相沉积等步骤，在特定的衬底温度下形 薄膜受多种因素制约，其中衬底温度、沉积速度两因素在过程控制中起关键作 用。衬底温度的提高，沉积速度的降低有利于形成晶态膜，反之易形成非晶膜。 对复杂结构的层状SrBi：1kO，薄膜，MPCVD制膜后经过退火热处理，更有利 于相组成的形成和晶粒的发育。＼J 最后针对液相法与气相法制