用经验紧束缚近方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响.pdfVIP

用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响 中文提要 中文提要 附结构、O．5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-terminated Si(100) 后的产物在硅表面的吸附特性，我们发现每种情况都有三个可能吸附的位置，并且 表面附着氢原子的出现可以造成这些吸附位置相对稳定性的逆转。其次本文还计算 得到了c(4×4)和同侧吸附两种稳定的0．5ML的H-terminatedSi(100)-p(2×2)表面结 Si(100)．c(4X41结构。同时，本文研究了附加硅原子在理想H—terminatedSi(100)表面 的沉积扩散行为，计算得到了一系列沉积点和可能的扩散路径；讨论分析了扩散行 为的各向异性以及氢覆盖率对各向异性影响的规律，并且发现附加硅原子在 H-terminated siooo)表面上的扩散势垒比在清洁Si(100)表面上的高，我们认为这主 要是因为氢原子饱和了表面上硅原予的悬挂键，提高了扩散势垒。本文最后研究了 附加硅原子在有缺陷的H-terminated Si(100)表面的单空位是附加硅原子理想的沉积点，并且随着结构的拓扑周期变短， 附加硅原子跳出单空位也将更加困难。 关键词：氢化的硅(100)表面，经验紧束缚近似，沉积扩散 作 者：黄晓江 指导教师：朱晓焱 OB TheoreticalofCharacteristicand Growth Study Homogeneity 坐!竖竺苎鲤璺!!堕!!型墅!g!!堡!!!!!卫鲤!!!型垫g型苎鲤 垒!墅壁 and TheoreticalofCharacteristic Study Growthon SiSurface UsingEmpirical Hydrogenated method Tight-Binding Abstract on 砀e andstructural of adsorbed energetic propertiesSill2 single ofO．5池 dimer structures vacancy(SDV)oftheSi(100)-c(4×2)surface，the andthe anddiffusionbehavioursof hydrogenatedsi000)surfacedeposition ontheH．terminatedSir1 havebeenstudied siliconadatom 00)surfaces by calcul