化学机械抛光特性的应力偶模拟.pdfVIP

维普资讯 第22卷第2期 计 算 力 学 学 报 Vo1．22．No．2 2005年 4月 ChineseJournalofComputationalMechanics April2005 文章编号：1007—4708(2o05)02—0160—05 化学机械抛光特性的应力偶模拟 张朝辉 ， 雒建斌 ， 温诗铸 (．北京交通大学 机电学院，北京 100044；2．清华大学 摩擦学 国家重点实验室 ，北京 100084) 摘 要 ：化学机械抛光是用于获取高级别的局部平面度和整体平面度的制造过程，综合 了化学作用和机械作用。 它的机械切除行为包含了流体动力作用。通常在化学机械抛光中使用纳米尺度的粒子来加速抛光速度并优化其 平面度。通过求解考虑应力偶效应的润滑方程可取得其机理 的认识。耦合线松驰技术和多重网格全 网格近似手 段可加速此润滑方程的收敛。用计算机模拟 了不同参量对承载能力和转矩的影响作用。 关键词：化学机械抛光；应力偶；多重网格技术；线松驰 中圈分类号 ：THI17 文献标识码：A 值求解Navier—Stokes方程后讨论了其润滑特性和 1 引 言 磨损速率。Sundararajan等 坝0通过求解Reynolds 为了获取高质量的抛光表面，有必要对材料进 方程给出了抛光液的膜厚和压力分布。Choand 行分子级的切除。迄今为止，化学机械抛光 (CMP， Park[7建立了一流动模型以描述硅片CMP，基于 ChemicalMechanicalPolishing)是用于取得 高精 此模型，他们给出了抛光液厚度、压力分布和接触 度的大尺寸晶片，如计算机硬盘和硅片等的全局和 应力。抛光液的流变特性影响材料的切除速率和品 局部平面度的唯一技术手段[1]。CMP技术 已经成 片的表面质量。Grover等[9]通过改变其粘度来考 熟为制造过程 中的一个完整部分 ]。在CMP中，旋 察了一商用硅基抛光液粘度对材料切除速率的影 转的被抛光晶片被压在旋转的弹性抛光垫上 ，而含 响。大多数的抛光液都是硅基的，比如胶体SiO：抛光 有磨粒和化学反应物的抛光液则在晶片与底板之 液等，以实现高级别的平面度需求[2]。这种抛光液的 间流动。材料的切除和晶片表面的抛光是衬底 、磨 流变特性不能用经典的连续理论来描述，而应当用 粒和化学反应剂联合作用的结果。CMP主要与晶 微观连续理论。应力偶理论则是最简单的一个，被广 片的表面和近表面特性、抛光液和抛光垫的性质有 泛采用，如ZhangE。。，LinE和Mokhiamer[等等。 关。在CMP中，主要的相互作用在于膜的形成与切 本文利用应力偶理论来研究CMP过程中的流 除 (晶片涂层的氧化)、抛光屑从表面带出、抛光液 动特性，以探索CMP的机理。 中添加剂在粒子表面及晶片表面和不同两层之间 的吸附和电荷等等 。CMP过程中，抛光液、抛光垫 2 润滑方程的推导 和晶片的相互作用同时发生。 典型的CMP抛光过程的运动原理示于图1。 然而 ，在相当大的程度上 ，CMP仍然是一 门黑 图2是速度分布分析模型。忽略惯性力、遵循通常 箱技术。人们需要利用经验或