第一章半导体器件基础精品.ppt

本征半导体中由于热激发存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴载流子。 在半导体两端外加电压，带负电的自由电子向正极做定向运动，被原子核束缚着的价电子递补空穴使空穴向负极运动。两种载流子形成电荷极性不同，但电流方向相同的电子流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体导电性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 设：电子浓度为n，空穴浓度为p；本征电子载流子浓度为ni，本征空穴载流子浓度为pi 。 对本征半导体即纯净半导体而言，当温度一定时有： n=p=ni=pi 在N型半导体中，自由电子数目大增，也更增加了电子与空穴的复合机会，从而使得空穴的数目更少了，这样导电主流就是电子，被称为“多数载流子”（简称“多子”）；空穴则称为“少数载流子”（简称“少子”）。 五价元素磷提供了自由电子，称为“施主元素”或“施主杂质”，磷原子失去了一个电子，称为“施主原子”。 N型半导体的简化图： 开始时，扩散占优势，使空间电荷区加宽，内电场增强，阻碍扩散运动，但使漂移运动不断增强 ； 漂移运动增强又使空间电荷区变窄，内电场减弱，进而使扩散容易进行； 当扩散运动与漂移运动相等时，两者达到动态平衡，空间电荷区的宽度不再增加，而处于相对稳定的状态。 这个一定宽度的空间电荷区，就是我们所说的PN结。 ② 交流参数 低频跨导gm：在UDS=常数时，漏极电流的微变量和引起这个 变化的栅源电压UGS的微变量之比，称为跨导。 用公式表示为: 交流输出电阻rds：输出特性曲线上某一点斜率的倒数，定 义为： ③ 极限参数 漏源击穿电压U(BR)DS：漏极附近发生雪崩击穿、ID开始急剧 上升时的UDS值。 栅源击穿电压U(BR)GS：栅极与沟道间的PN结的反向击穿电压。 最大耗散功率PDM：PDM=UDSID 3. 增强型MOS管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数 (1) 增强型MOS管的引出——半导体的表面效应 当半导体表面有垂直方向的电场作用时，会使半导体的导电能力发生改变的现象。 P型半导体 绝缘层 金属板 E 电场方向 E E 耗尽层 反型层 外加电压越大，反型层越厚。 三极管的工作状态总结 ?值与IC有关。同一型号的三极管?值有较大差别，其值在20~150之间。 ?值太小，管子的电流放大作用太小； ?值太大，使管子受温度变化的影响大，导致管子工作不稳定。要根据实际情况来选择? 值合适的管子。 4. 三极管的主要参数 ① 直流电流放大系数 反映了三极管的电流放大能力。 ② 交流电流放大系数 集电极电流变化量与基极电流变化量的比值。 当输出曲线的间隔比较均匀时，认为: (1) 电流放大系数 (2) 极间反向电流 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO：发射极开路时，集电极-基极之间的反向电流。 N N P UBB RB UCC RC B C E ICBO ICBO随温度的升高而增大，且具有饱和性。它是表征集电结质量好坏，衡量管子稳定性能优劣的参数。一个好管子， ICBO很小。 集电结反偏，集电区的少子进行漂移运动形成反向漂移电流。 ② 集电极-发射极反向饱和电流ICEO：基极开路时，由集电区流入，穿过基区，由发射区流出的反向电流。又称穿透电流。 N N P UBB RB UCC RC B C E ICBO 发射结正偏，集电结反偏 ICEO ?ICBO ICEO=(1+?) ICBO ICEO受温度影响很大。 ICEO越大，说明管子稳定性越差。 IC、?与ICBO关系讨论： 当ICBO较小时，可有： 只要有一个IB，就有一个IC，且IC总比IB大?倍。 IC与温度关系极大，使三极管的温度稳定性颇差。 (3) 极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM UCE / V IC /mA 0 IB=0 4 3 2 1 1.5 2.3 ② 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO c e b UCC U(BR ) CEO 基极开路 指基极开路时，允许加在集-射极之间的最高反向电压。 使用中若超过此值,三极管的集电结就会出现雪崩击穿。 ICICM时，晶体管不一定烧损，但β值明显下降。 ③ 集电极最大允许功耗PCM 三极管上的功耗超过PCM，管子将损坏。 安 全  区 ：集电结允许损耗功率的最大值。 过耗区 5. 三极管的温度特性 (1) 温度对?的影响