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* * * * * * * * 思考题 1、真空蒸发镀膜的基本原理及过程是什么？ 2、电子束蒸发镀膜高真空如何获得 3、请写出光刻的8个基本步骤 * * * * * * * * * * * * * * * * * * *  * * * * * * * * * * 4、对准和曝光 工艺目的： 将掩膜板上的图形通过镜头由紫外线传递到硅片表面光刻胶膜上, 形成光敏感物质在空间的精确分布，最终达到图形精确转移的目的。 4、对准曝光 系统示意图 URE-2000/35光刻机 中国科学院光电技术研究所 紫外接近，接触式光刻 曝光面积：100mm×100mm； 分辨力：1μm（胶厚2μm 的正胶）； 掩模尺寸：2.5inch、3 inch、4 inch、5 inch； 样片尺寸：Φ15mm - Φ100 mm； 样片厚度：0.1mm - 6mm； 曝光波长：365nm 5. 曝光后烘培（PEB） 工艺目的：使曝光后的光敏感物质在光刻胶内部进行一定的扩散，可有效防止产生驻波效应。 工艺方法：在温度为100℃的热板烘60秒 驻波效应 6. 显影 工艺目的： 溶解硅片上 曝光区域 的胶膜，形 成精密的光 刻胶图形。 显影及显影后的硅片图形 ? 正胶 负胶 显影液 氢氧化钠NaOH 二甲苯 ? 四甲基氢氧化铵TMAH 弱碱 Stoddard(斯托达德)溶剂 冲洗 水H2O n-醋酸丁酯 7. 坚膜烘培 工艺目的： 使存留在光刻胶中的溶剂彻底挥发，提高光刻胶的粘附性和抗蚀性。这一步是稳固光刻胶，对下一步的刻蚀或离子注入过程非常重要。 正胶的坚膜烘焙温度约为120度到140度，比软烘高，但不可太高，否则光刻胶流动破坏图形 过坚膜引起光刻胶流动，影响光刻的分辨率 基本流程 8. 显影检查 光刻的质量 光刻的质量:用分辨率、光刻精度以及缺陷密度等来衡量。 影响光刻质量的主要因素是：光刻掩模板、光刻胶、曝光方式、曝光系统等。 环境条件对光刻的影响 1. 温度：掩膜版架、光学系统、承片台等 2. 湿度：胶粘附性、数值孔径、聚焦等 3. 振动：定位、对准、聚焦、曝光等 4. 大气压力：空气折射率、激光干涉计 5. 颗粒污染：图形缺陷 超净间 亦称为无尘室，是将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等污染物排除，并将室内之温度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内，而所给予特别设计之房间。 不论外在之空气条件如何变化，其室内均能俱有维持原先所设定要求之洁净度、温湿度及压力等性能之特性。 超净间最主要之作用在于控制产品（如硅芯片等）所接触之大气的洁净度、温度、湿度，使产品能在一个良好之环境空间中生产、制造。 超净间 第三部分 刻蚀实验 刻蚀 有湿法和干法两种基本腐蚀工艺 湿法腐蚀是用化学药品除去待腐蚀的材料。 干法腐蚀(又称等离子腐蚀)所用的离子气体是具有化学活泼性的射频淬离子体。 常用刻蚀液 Al 磷酸：硝酸：醋酸：水=16：1：1：2 产生氢气泡，应搅动或用超声波 SiO2 基本刻蚀剂：氢氟酸，但是刻蚀太快，3000?的膜只需10s 改进：BOE （缓冲氧化物刻蚀） 沾污 可能来源 颗粒 设备、环境、气体、去离子水、化学试剂 金属离子 设备、化学试剂、反应离子刻蚀、离子注入 有机物 室内气氛、光刻胶、存储容器、化学试剂 自然氧化层 环境湿气、去离子水冲洗 清洗 清洗 分三阶段 预清洗：清除表面严重污染，如油污、微粒、水汽 清洗：进一步清除表面残留物 干燥 H2SO4:H2O2=7:3 去光刻胶、有机沾污、金属离子 HCl:H2O2:H2O=1:1:6 去除活泼金属、金属氧化物、氢氧化物 HF:H2O=1:10 去除自然氧化层 常规清洗 注意：使用强腐蚀性化学药品时，必须戴耐强酸碱手套 清洗用的石英玻璃器皿易碎，需小心使用，倒酸必须在通风厨进行 超声清洗（丙酮+乙醇+去离子水） 选取基片、烧杯。用去离子水仔细清洗。 将基片置于烧杯中，倒入适量丙酮（以淹没基片为准）。 在超声清洗池中倒入适量水。 将盛有丙酮的烧杯放入超声清洗池中，超声清洗10分钟。 将基片置于有适量无水乙醇的烧杯中，进一步对基片进行超声清洗5-10分钟（注意超声清洗池中应保持一定的水量，不能过少） 从无水乙醇中取出基片，用去离子水冲洗后，用气枪吹干待用。 注意事项：整个过程保持清洁，勿用手直接触摸基片，用镊子夹取。 常规清洗 抽真空 为什么镀膜时镀膜室内要具有一定的真空度？ 1）真空环境可防止工件和薄膜本身的污染和氧化，便于得到洁净致密的各种薄膜。 2）真空镀膜时，为了使蒸发料形成的气体原子不受真空罩内的残余气体分子碰撞引起散射而直接到达基片表面