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半导体二极管 第 1 章 1.1　半导体二极管 (Semiconductor Diode) 1.1.1　 PN 结及其单向导电性 1.1.2　半导体二极管的构成与类型 1.1.3　半导体二极管的伏安特性 1.1.4　半导体二极管的使用常识 1.1.1 PN结及其单向导电性 一、基本概念 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 本征激发 — 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 自由电子(带负电) 空穴(带正电) 电子空穴成对出现，数量少、与温度有关。 两种载流子 N型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。 正离子 多数载流子 少数载流子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 P型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素，如棚、铟（杂质）所构成。 负离子 多数载流子 少数载流子 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 电中性 二、PN结的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 交界面形成空间电荷区(PN结)，建立内电场 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行， 利于少子的漂移。 3. 扩散和漂移达到动态平衡，形成PN结。 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内建电场 载流子在电场作用下的定向运动 PN 结的形成 三、PN结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置)（P+、N– ） P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 2. 外加反向电压(反向偏置) （P–、N+） P 区 N 区 ? + U R 内电场 外电场 外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 PN 结的单向导电性： 正偏呈低阻导通 正向电流IF较大; 反偏呈高阻截止， 反向电流为IR很小。 外电场使多子向 PN 结移动,中 和部分离子使空间电荷区变窄。 PN 结的单向导电性 ? + U R 四、PN结的结电容 势垒电容 CB： PN中的电荷量随外加电压变化而改变所显示的效应（反偏时显著）。 扩散电容 CD： 多子在扩散过程中积累程度随外加电压变化而改变所显示的效应（正偏时显著）。 + ? U R 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。 高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。 1.1.2 半导体二极管的构成和类型 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) P N 阳极 阴极 符号： 阳(正)极 a k 阴(负)极 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按用途分 普通二极管 整流二极管 稳压二极管 开关二极管 按结构工艺分 点接触型 面接触型 平面型 点接触型 阳极 引线 触丝 N 型锗片 管壳 阴极 引线 特点： PN结面积小 结电容小 适于高频、小电流 应用： 小功率整流 高频检波 开关电路 阴极引线 面接触型 N型硅 PN 结 阳极引线 铝合金 小球 支架 金锑 合金 特点： PN结面积大 结电容小 适于低频、大电流 (几百毫安以上) 应用：整流 阳极引线 阴极引线 集成电路中的 平面型 P N P 型支持衬底 常用二极管外形图 2CZ54 2CZ13 2CZ30 2AP 1N4001 + – + – + – + – 微型二极管 （无引线或短引线的贴片元件，直接安装在印刷电路板表面） 圆柱形微型二极管 SOT － 23　矩形微型二极管 1.1.3 半导体二极管的伏安特性 一、PN 结的伏安特性方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 1.602 ?10–23C 玻尔兹曼常数1.38?10–23J/K 当 T = 300(27?C)： UT = 26 mV U = 0 时， I = 0； U 0 时， U 0 时， I ? –IS； 二、二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uon 导通电压 (门坎、阈值) ID = 0 Uon = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) u ? Uon ID 急剧上升 0 ? u ? Uon Uon = (0