面扫描设备联合分析低效片简介.pptVIP

结果分析 从EL上来看，L1和L2只有边缘发光，中间其余部分没有发光。初步判断在电池片的中心部分没有形成PN结。结合电性能来看，开压较低，暗电流比较大，符合电池片生产中单面扩散以后插反片源所致的低效片。SUNSVOC也可以看出：两片的J02非常大，说明结区的复合电流非常大，基本上可以判定PN结完全被破坏或者结区不存在。可能原因为单面扩散以后插反片源所致。 从EL加反向偏压测试HS可以看出，L4片边缘存在强漏电。SUNSVOC上来看，结区J01和J02均偏大，说明暗电流中的结区扩散和复合电流都比较大。与材料质量较大相关。L4片与上前面分析的7号片相类似，存在一定的过烧，同时边缘刻蚀不完全，使得暗电流更大。 测试分析（第四组） 6.165361 0.090095 48.3398 8.593117 0.029222 7.397594 0.613055 8 3.89379 0.114642 55.15601 4.276291 0.019418 8.255271 0.612653 L7 1.807284 0.126188 61.21287 8.252204 0.017573 8.186094 0.612765 L6 Irev1 NCell FF Rsh Rs Isc Uoc Number 电性能参数： 测试分析 EL照片如下： 测试分析 测试分析 测试分析 测试分析 测试分析 结果分析 L6和L7两片的扩散长度均在300um左右，正常片可以做到15%以上的效率，现在两片效率偏低，Rs偏高。晶粒晶界处效率较低。L6结合SUNSVOC来看，PFF提升非常高，说明烧结产生了问题。L7同时出现履带印和亮点，SUNSVOC显示J02偏大，说明结区复合电流大，这与406和659nm波段的光谱响应相对应。 8号片材料非常差，扩散长度较低，只有237um，同时EL加反向电流可以看起晶界位置存大较强的漏电。这与效率低下且暗电流偏大相符合。 测试分析（第五组） 0.851192 0.140204 67.98139 11.96477 0.008189 8.172967 0.614026 low2 0.621996 0.617219 Uoc 6.180962 0.162377 76.88992 2.543019 0.00268 8.261581 Dark current 2.958774 0.123483 59.35042 4.267242 0.016853 8.202358 low1 Irev1 NCell FF Rsh Rs Isc 编号 电性能参数： 测试分析 EL测试结果如下： 测试分析 测试分析 测试分析（LOW1） 测试分析（LOW2） 测试分析 结果分析 联合WT2000和EL可以看出：LOW1和LOW2片整体比较均匀，晶界处效率偏低。 LOW1和LOW2两片电池的Rs偏大，填充因子非常低，用SUNSVOC测试理想填充因子PFF上升明显，第二片PFF值较高。同时二极管理想因子趋近1，都表明PN结扩散方面没有问题。造成电池片效率低下的主要原因是材料较差，导致烧结以后串联偏高。 结果分析 从EL的图上可以看出：第三片暗电流片中间主栅下方存在强烈的漏电。肉眼目测相应位置无明显异常，在显微镜下观察可以看到，靠近主栅附近的最下方细栅处有黄色异常点，放大1000倍观察如下图所示： 从图上可以看出：正面栅线上出现了一些小颗粒，从形貌上推断极有可能有铝颗粒。铝作为受主杂质，对正面PN结破坏严重，会在此处造成强烈的漏电。 总结归类 通过以上测试分析可以将156P低效片分为以下两大类： 一，片源质量较差，导致电性能偏低。 主要表现为Rs偏高，一般在10mΩ以上，效率低下，比较集中在10~14%较多。同时表现为开压偏低。测试分析主要表现在这类片源的扩散长度偏低。集中在240~300um之间。同时EL测试会出现较多的黑色阴影区域。 EL和WT2000相对应能够很好地说明地这种低效片。主要是晶界处杂质含量过高导致复合中心增加所致。 总结归类 二，制程过程中的造成的低效片。主要分为以下种类型： 2.1，操作失误扩散后造成插反片源。 主要表现是为电池片出现在Trash档中，效率极低，一般在2%以下，暗电流非常大，一般表现在12A以上，也有极个别表现在7~12A之间。同时开压偏低，短路电流非常小。测试分析主要表现在除四周外中间电流响应基本为0。 此类异常的扫描结果如右所示。 总结归类 2.2，扩散烧结不匹配导致的低效片 这类电池片主要电性能表现为串联电阻偏大，效率较低，从5%至14%不等。EL图像出现许多亮点，同时SUNSVOC的PFF提升较高