称之为.ppt

CQU CHONGQING UNIVERSITY 2.4 高斯定理 2.4.1 真空中的高斯定律 在静电场中有一曲面 S，在其上取一面元dS ，建立面元矢量 dS=dSen 穿过 dS 面元的电场强度的元通量为 dΨE = E · dS 穿过S面 E 的通量为 ΨE = ∫S E · dS 若S为闭合曲面，en 为其外法线单位矢量，则 E 在S上的净通量为 （1）E的闭合面通量 （2）真空中的高斯通量定理 在真空电场中，穿出任意闭合面 的通量恒等于闭合面内电荷的代数荷除以真空的介电系数ε0. （2.4.1） 证明：设电场 是由点电荷q产生的，即 则 的闭合面通量 情况1： 如何计算闭合面积分 情况2： θ的范围？ 立体角：一个任意形状的封闭锥面所包含的空间。 球面上立体角，即： 夹角θ=0 非球面上立体角，即： 夹角θ≠0 整个球面对球内点的立体角为： 整个球面对球外点的立体角为零。 2.4.2 高斯定律的一般形式 闭面内的体极化电荷 因此 （1）高斯定律的积分表达式 电介质存在： 是自由电荷q与极化电荷qp在真空中共同产生的。运用真空中静电场的高斯定律： （2.4.2） 代入式2.4.2得 即 令 （2.4.3） 为电位移矢量，单位是C/m2（库/米2）。有 （2.4.4） 这就是一般形式高斯定律的积分表达式。它表明 的通量只与闭合曲面S内的自由电荷有关，而与介质的极化无关，也与介质结构、状态、分布无关。 （2）电位移矢量 介质的构成方程（或称本构关系）。D的单位是C/m2 (库/平方米) 。 在各向同性线性介质中，有 代入上式 令 称为各向同性线性介质的构成方程，式中εr 称为电介质的介电系数，单位为F/m。 称为相对介电率，无量纲。 注意： ①高斯定律是基于场的观点，从整体上来反映场与源之间的关系，闭合曲面S可以跨多种介质，而不受介质影响； ② D（或E）的闭合面净通量ψD (或ψE)仅与闭合面内的电荷相关，而D（或E）本身则与产生电场的所有电荷以及介质的特性与分布情况相关。 （2）高斯定律的微分表达式 空间内有密度为 的体电荷连续分布。若D连续可微，任取一闭合面S，S所包围的体积为V’ ，由高斯定律，有 应用高斯散度定理，得 称为高斯定律的微分形式。 （2.4.5） 因此 对于无限大各向同性线性介质， εr为常数，高斯定律可写成 若再加上是均匀介质这个条件， ε将为常数，则高斯定律为 2.4.3 高斯定律的应用 应用高斯定律计算电场条件与步骤： 条件：当电场分布具有某种对称性（如球对称性、无限长圆柱对称性和无限大平面对称性）。 关键步骤是：选择一个合适的闭合面，称之为“高斯面”，使在该闭合面上的E或D的模值为同一个值，方便于进行闭合面积分。 例2.5. 真空中有电荷以体密度ρ均匀分布于一半径为a的球内，试求球内、外的电场强度。 解： 分析此例，场的分布呈球对称性，以对称中心为坐标原点，建立球坐标。作半径为r的同心球面正好是球对称面，取它为高斯面。 （1）r a时 （2）ra时 结论：均匀带电球体外的电场，相当于电荷集中于球心的点电荷的电场。当r=0时，E=0，当r=a时， E值达到最大Emax。 例2.6 有两层介质（设）的长直同轴电缆，尺寸如图所示。已知内、外导体单位长度上的电荷分别为τ和-τ 。 求介质中的D、E、φ以及介质分界面上的面极化电荷密度σP。 解：电场呈圆柱对称分布，可以长直同轴电缆轴线为z轴，建立圆柱坐标系，作计算图，可作半径为ρ 长为l的同轴圆柱面为高斯面。 (1) 求D，E (2) 求? 电位参考点设在外导体上，有 结论：在电场中极化的介质导致在两种介质的分界面上出现剩余的极化电荷，或者说在介质分界面上的极化电荷是导致E突变的原因。 (3) 求σP ? D ?1 ?2 E2 E1 o R1 R2 R3 D, E, ? ? 球对称分布：包括均匀带电的球面，球体和多层同心球壳等。 ? 轴对称分布：包括无限长均匀带电的直线，圆柱面，圆柱壳等。 (a) (b) (c) 高斯面选择方式 ? 无限大平面电荷：包括无限大的均匀带电平面，平板等。 (a) (b) (c) 平行平面场的高斯面 试问： 能否选取底面为方型的封闭柱面为高斯面？ 作业： 2.6、2.7 、2.9 CQU CHONGQING UNIVERSITY