晶体管共射特性曲线.ppt.pptVIP

一、三极管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 3.电流分配关系 《模拟电子技术》 三极管及放大电路 1 晶体三极管及放大电路 1 2. 晶体管共射特性曲线 1. 晶体三极管放大原理 3. 放大电路概述 4. 基本共射放大电路的工作原理 结构特点： 发射区: 多子浓度高 基区: 多子浓度很低，且很薄 集电区: 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结 晶体三极管放大原理 发射结正偏：uBE＞UON 集电结反偏：uCE≥UBE 1. 晶体管的放大条件 对NPN管：uC uBuE 对PNP管：uC uBuE 或 晶体管的最基本特性：电流放大作用 晶体三极管放大原理 2. 内部载流子的运动 发射区多子浓度高使大量电子从发射 区扩散到基区，扩散运动形成IE电流 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩 散到基区的电子与空穴复合 复合运动形成IB电流 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 漂移运动形成IC电流 电子与空穴均参与导电 故称双极型晶体管 晶体三极管放大原理 IE＝IB＋IC IC=? IB IE＝(1+? )IB ? ---共射极电流放大系数 α---共基极电流放大系数 晶体三极管放大原理 三、晶体管的伏安特性曲线 1.共发射极输入特性曲线 是从晶体管外部电流、电压之间关系反映晶体管的特性。 晶体管的接法不同，其伏安特性也不相同。 曲线特性 ﹡近似于二极管的伏安特性。 ﹡用UCE≥1V曲线，可代表输入特性 晶体管共射伏安特性曲线 2. 共发射极输出特性曲线 分三个工作区，各有特点 载止区：发射结载止 放大区：发射结正偏、集电结反偏 饱和区：发射结、集电结均正偏，没有电流放大作用 （iC不受iB控制） 名词解释：临界饱和状态、饱和压降UCES、临界饱和线 晶体管共射伏安特性曲线 四、温度对晶体管特性的影响 结论：β、ICBO、UBE 受温度影响的结果， 最终表现为使IC发生变化。 硅管温度特性好 晶体管共射伏安特性曲线 五、主要参数 1. 直流参数 2. 交流参数 α、β、频率参数 f α、 f β 、fT 3. 极限参数 集电极最大允许电流ICM反向击穿电压U(BR)×××集电极最大允许的耗散功率PCM 晶体管共射伏安特性曲线 *