GaN基LEDs可靠性研析.pdf

摘要 本文以加速寿命试验和失效分析为主要研究手段，对GaNLEDs器件退化 机理进行了比较深入的研究，并对一些关键工艺提出了改进措旌。主要内容包 括： 研究了封装与器件可靠性的关系及封装造成的失效模式． 应用扫描电镜对过电应力(ElectricalOverstress)造成的损伤进行了系统分 析。 采用两步刻蚀法减小常规ICP刻蚀工艺所带来的损伤，实验表明改进工艺 后器件的正向电压降低，输出功率增大，长期可靠性得到提高。 研究了不同的电流扩展工艺对CaNLEDs器件的影响．通过红外熟像仪测 试说明带有环状n型电极的器件比常规器件有更好的性能。 关键词： 氮化镓，发光二极管，可靠性，感应耦合等离子体(IcP)，电流拥挤 Abstract In this studiedthe mechanismsofGaNbasedLEDs paper,we degradation meansof a∞deratedlifetestsandfailure by long-term