SiCOH低k薄膜沟槽的C2F6%2fO2%2fAr双频等离子体刻蚀的研究.pdfVIP

SiCOH低k薄膜沟槽的C2F6／02／Ar双频等离了体刻蚀研究 中文摘要 中文摘要 随着超大规模集成电路(ULSI)中器件密度不断提高、特征线宽不断减小，器 件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大，导 致RC的增大，进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解 决这些问题，用低介电常数(低七)和超低介电常数(施)材料替代传统的层间绝 缘介质，降低绝缘介质的介电常数，成为可能的途径。作为最有希望替代Si02的材 料，多孔SiCOH低介电常数(低尼)薄膜材料得到人们高度关注。 在SiCOH低k薄膜材料应用于超大规模集成电路时，图形刻蚀是关键的工艺之 一。与传统的Si02介质刻蚀相比较，由于SiCOH薄膜中存在孔隙，所以薄膜刻蚀率 会随着薄膜密度的降低而增加，从而导致沟槽刻蚀的粗糙度增加、分枝结构的形成、 刻蚀深度的改变，结果使沟槽的刻蚀变得难以精确控制。由于SiCOH低k薄膜材料 中除了Si、O外，还包含了C、H，为了有效地控制沟槽刻蚀的粗糙度，需要在刻蚀 Si的同时，使C保持同比例的刻蚀，因此，在碳氟等离子体添加02成为刻蚀低粗糙 度沟槽的可能途径。但是，由于O等离子体对光刻胶具