SnO_2基材料合成及性质的研究.docVIP

SnO_2基材料的合成及性质研究 【摘要】：近年来,纳米二氧化锡基材料是气敏器件应用领域备受关注的功能材料之一,其应用研究已经成为热点。同时,由于稀磁半导体潜在的发展前景,纳米二氧化锡及其过渡金属掺杂已激起人们的研究兴趣。另一方面,由于纳米二氧化锡薄膜独特的光学和电学特性,其透明电极方面的应用也备受关注。但是,满足器件使用的Sn02材料还面临一些需要解决的问题,例如,在气敏传感器应用方面：纯Sn02灵敏度和稳定性较差,需要贵金属或金属离子的修饰,薄膜质量以及比表面积的提高；在氧化物稀磁半导体方面：居里温度的提升以及铁磁性的来源机制；透明电极方面：电学性质或光学性质进一步的提高等。本论文以二氧化锡(Sn02)基材料为研究对象,针对以上问题研究了Sn02及其掺杂纳米材料的制备和性质。主要研究结果如下：(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在Si衬底上制备了高质量的Sn02薄膜。深入研究了薄膜的结构、成份、表面形貌、光学特性以及快速热退火温度对Sn02薄膜的影响。发现600快速热退火后的Sn02薄膜显示出最优的性质,此时薄膜已完全结晶,且晶粒尺寸较小,比表面积大,有利于提高气敏传感器的灵敏度。分析和研究了光致发光谱可见光波段的红移现象,该现象的机理在于纳米颗粒的量子限域效应,并与氧空位或锡空位等缺陷有关。当快速热退火温度升高至800时位于3450cm-1处的OH基的伸缩振动吸收带仍然