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- 2016-02-03 发布于湖北
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ppt三级存储体系..ppt
ROM 非易失性的存储器——ROM: MROM: 出厂时已写好,不可更改 PROM:可写一次 EPROM:正常工作时,只能读 紫外线照射,将数据擦除,重新写入 EEPROM:电可擦除EPROM Flash ROM:闪存,低电压改写 一般存储芯片: DIP(Dual In-line Package)双列直插封装 内存条: SIMM 单列直插存储模块 DIMM 双列直插存储模块 6.3 主存储器的组织 一、主存储器容量的扩展:根据不同计算机的要求,主存具有不同容量要求,目前生产的存储芯片规格有限,需要对实际的存储器进行扩展 给定一定容量芯片,连接成更大容量的主存 需解决: 芯片的选用、 地址分配与片选逻辑、 信号线的连接 6.3 主存储器的组织 1、位扩展:存储单元数相同,但位数不足 例:用Intel 2114芯片(1024×4) 组成1024×8的存储器 方法:①总片数=总容量 / 芯片容量 1024×81024×4 =2(片) ②位扩展方法:将各芯片的地址线、片选线、读写线并联起来,芯片的数据线单独列出 6.3 主存储器的组织 6.3 半导体存储器的组成与控制 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE 2114 A0 A1 … A9 … D0 D1 D2 D3 CS WE A0 A1 A9 CS WE D3
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