LED半导体发光二极管..ppt

1 氮化镓衬底生产技术和设备 从高压熔体中可得到单晶氮化镓体材料，但尺寸很小，无法使用。目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。 虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档的氮化镓发光二极管产品，但高档产品只能在氮化镓衬底上生产。 目前只有日本几家公司能够提供氮化镓衬底，价格极贵，一片2英寸衬底价格约1万美元，这些衬底全部由HVPE(氢化物气相外延)生产。 氮化镓衬底生产技术和设备 HVPE是二十世纪六七十年代的技术，由于它生长速率很快(一分钟一微米以上)，不能生长量子阱、超晶格等结构材料，在八十年代被MOCVD、MBE(分子束外延)等技术淘汰。 然而，恰是由于它生长速率快，可以生长氮化镓衬底，这种技术后来又“死灰复燃”并受到重视。 可以断定，氮化镓衬底肯定会继续发展并形成产业化，HVPE技术必然会重新受到重视。与高温提拉法相比，HVPE方法更有望生产出可实用化的氮化镓衬底。不过国际上目前还没有商品化的设备出售。 氮化镓衬底生产技术和设备 目前国内外研究氮化镓衬底均是用MOCVD和HVPE两台设备分开进行的,即： 蓝宝石(Al2O3)特性表 D:俄罗斯 Cradley Crystals公司(C面2英寸蓝宝石基板技术参数) ZnO衬底 之所以ZnO作为GaN外延的候选衬底，是因为他们二者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常小，禁带宽度接近（能带不连续值小，接触势垒小）。