Sm：GdVO4晶体的生长及光谱性能研究.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．37 No．3 2008年 6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS June．2008 Sm：GdVO4晶体 的生长及光谱性能研究 何晓明，张连翰，陈光珠，何明珠，杭 寅 (中国科学院上海光学机密机械研究所 ，上海 201800) 摘要：应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2％原子分数的Sm：GdVO 晶体，研究了室温下c轴方向Sm：GdVO 晶体的吸收和荧光光谱。通过J-O理论计算出强度参数( )，同时计算了对应于 G膻能级的 自发跃迁几率、荧光 分支比和辐射寿命。通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应 的发射截面，结果表明，Sm： GdVO在604am的发射截面最大，是掺Sm：YAP在607nm处发射截面的4．4倍。 关键词：Sm：GdVO。晶体；光谱性能；J．0理论 中图分类号：078 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2008)03-0514-05 GrowthandSpectroscopicPropertiesofSm ：GdVO4Crystal HE Xiao—ming，ZHANG Lian—han，CHEN Guang—zhu，HE 一zhu，HANG Yin (ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics，ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800，China) (Received4September2007，accepted13November2007) Abstract：The2at．％ Sm：GdVO4crystalwasgrown by theCzochralskimethod．Th eabsorption and fluorescencespectraalongthecrystallographicaxiscweremeasured atroom temperature．Judd—Ofeh theorywasusedtocalculatetheintensityparameters(以)，thespontaneousemissionprobability，the branchingratioandtheradiativelifetimeofthestate G5／2．Thepeakemission cross—sectionswerealso estimatedat566．604 and646nm wavelengths．The emission cross—section at640 nm is7．62 ×10 cm ，4．4timeslagerthanthatinSm：YAPat607nm． Keywords：Sm：GdV04crystal；spectroscopicproperties；Judd—Ofehtheory 1 引 言 GdVO 属于四方晶系，其空间点群为D19一／4。／amd，晶格常数分别为：a=b=0．72126nm，c=0．63483 nm。GdVO具有优 良的化学性能和机械性能，它作为 良好的激光基质被广泛研究 ，GdVO掺 ，Nd3， Ho¨ Er¨ Tm ¨ Yb¨的激光材料已有报道 ¨ ，与 YAG和 YVO 相 比，作为二极管泵浦激光器，GdVO ， ， ， 具备以下基本优点 ：(1)具有大的受激发射截面；(2)在泵浦波段有宽吸收带；(3)对泵浦波长和二极 管温度