SnS片状纳米晶的制备及其表征.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．37 No．3 2008年 6月 JOURNAL OF SYNTHE~C CRYSTALS June，2008 SnS片状纳米 晶的制备及其表征 崔 蕾，简基康 ，郑毓峰 ，孙言飞，蒋 莉 ，张保花 (新疆大学物理科学与技术学院，乌鲁木齐 830046) 摘要 ：用水热法制备 了SnS片状纳米 晶。通过 x射线衍射 (XRD)，扫描电子显微镜 (SEM)，透射电子显微镜 (TEM)，X射线能谱 (EDS)等方法对所制备的样品SnS粉晶的结构形貌及组分进行了表征。研究了影响合成 SnS 片状纳米晶的几个因素，讨论了片状纳米晶生长过程与 (040)晶面择优取向的关系，并分析了SnS片状纳米晶的合 成机理 。 关键词 ：SnS；水热法；纳米晶 中图分类号：078 文献标识码：A 文章编号：1000—985X(2008)03-0617-05 SynthesisandCharacterization ofSnSNanoflakes CU／Lei，JIANJi—kang，ZHENGYu-feng，SUNYan-fei，JIANGLi，ZHANGBao—hua (CollegeofPhysicalScienceandTechnology，XinjinagUniversity，Urumqi830046，China) (Receivedl8September2007) Abstract：SnSflake—likenanocrystalshavebeensynthesizedbyhydrothermalmethod．Theproductswere characterizedbyXRD，SEM ，TEM ，EDS，respectively．We discussed some experimentalfactorsand (040)preferential growth influencingtheformationofSnSflake—likenanocrystalsandthepossible mechanism． Keywords：SnS；hydrothermalmethod；nnaocrystal 1 引 言 SnS是一种重要的半导体材料，其光学直接带隙和间接带隙宽度分别为 1．2～1．5eV和 1．0～1．1eV， 与太阳辐射有很好的光谱匹配，因而非常适合作为太阳能电池中的光吸收层，另外在电致发光显示器的近红 外探测器和光电压器件 中也有很好的应用 j。对于 SnS纳米结构的报道有：2003年，GuozhenShen等利用 乙二醇回流的工艺制备了SnS和SnS无规则外形薄片纳米晶 J，ChanghuaAn等用乙二胺做溶剂低温合成 SnS纳米带 和HanmeiHu等用乙二醇做溶剂制备了海胆状纳米晶 等等。近年来的研究表明，水热(或溶 剂热)法是制备纳米结构的一种有效途径 ，利用该方法生长得到了许多重要的功能材料的低维纳米结构。 根据 GuozhenShen等人的研究成果表明 j，在合成 SnS无规则外形薄片纳米晶过程中一些金属离子 M”可以与硫脲形成络合离子 M(硫脲)”，如方程表示：sn“+Tu(硫脲)一sn(Tu) “，Sn(Tu) ¨一sns，此 反应在水热体系中也有可能会发生 ，对合成SnS的形貌可能有一定的影响。因此本文采用水热法成功地一 收稿 日期：2007-09一l8 基金项 目：新疆大学博士启动基金 (No．BS060110) 作者简介：崔蕾 (1980一)，女 ，河南省人，硕士。E—mail：leilei518@163．corn 通讯作者：简基康，教授。E—mail：jkangjina@gmail．corn