功率MOSFET驱动技术详解.docVIP

[导读] 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源的整流组件 关键词：功率MOSFET 　　功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-mode powersupplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。功率MOSFET和双极型晶体管不同，它的栅极电容比较大，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的负载能力必须足够大，以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容(CEI)的充电。在计算栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈，于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流。 　　I = C(dv/dt) 　　实际上，CEI的值比CISS高很多，必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算。 　　QG是MOSFET栅极电容的一部分，计算公式如下： 　　QG = QGS + QGD + QOD 　　其中： 　　QG--总的栅极电荷 　　QGS--栅极-源极电荷 　　QGD--栅极-漏极电荷(Miller) 　　QOD--Miller电容充满后的过充电荷 　　典型的MOSFET曲线如图1所示，很多MOSFET厂商都提供这种曲线。可以看到，为了保证MOSF