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[例1]试用ROM设计一个能实现函数y x2的运算表电路, x的取值范围为0~15的正整数。 Yi与X3X2X1X0之间表达式： 根据表达式画出[例1]ROM存储点阵如下图 下图是MOS型静态2114的结构图 1024×4 。可以选择4位的 字1024个。采用X、Y双向译码方式。4096个存储单元排列成64 行×64列矩阵，64列中每四列为一组，分别由16根Y译码输出线 控制。即每一根列译码输出 线控制存储矩阵中四列的数 据输入、输出通路。 RAM的扩展分为位扩展和字扩展两种。 例256×8位扩展成1024×8位。前者地址线数为8条，而后者地 址线数为10条。低8位地址线并联接一起，高2位地址线经输出 低有效的译码器译码，接至各片RAM的低电平有效CS端。 [例2] 试用1024×4位RAM实现4096×8位存储器。 解：4096×8位存储器需1024×4位RAM的芯片数: * * 第8章 半导体存储器 §8.1 概述 §8.2 只读存储器 ROM §8.3 随机存取存储器 RAM §6.1 §6.2 §6.3 教 学 目 的 1.了解半导体存储器的特点及分类； 2.了解只读存储器的特点和工作原理； 3.了解随机存取存储器的特点和工作原理； 教 学 重 点 1.只读存储器的工作原理； 教 学 难 点 1.用只读存储器实现任意函数； 2.RAM的扩展。