半导体工艺原理--薄膜技术--物理气相淀积(贵州大学)精品.pptVIP

微电子工艺----薄膜技术 1 物理气相淀积 （Physical Vapor Deposition） 物理气相淀积（PVD） 1 真空蒸发法原理 2 设备与方法 3 加热器 4 气体辉光放电 5 溅射 物理气相淀积（Physical vapor deposition，PVD）是利用某种物理过程，如用真空蒸发和溅射方法实现物质转移，即原子或分子由源转移到衬底 硅 表面淀积成薄膜。 一、 真空蒸发法制备薄膜的基本原理 真空蒸发即利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备。 在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。 这种物理淀积方法，制备的一般是多晶金属薄膜。 真空蒸发法优点 设备简单，操作容易 所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快 生长机理简单 蒸镀过程 源受热蒸发； 气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运； 被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积：凝结→成核→ 生长→成膜。 1.1 基本参数 汽化热ΔH 被蒸发的原子或分子需克服固相或液相的原子间束缚，而蒸发到真空中并形成具有一定动能的气相原子或分子所需的能量。 常用金属材料汽化热 /原子（分子） 在蒸发温度下的动能 /原子（分子） 蒸发速率 蒸发速率和温度、蒸发面积、表面的清洁程度、加热方式有关，工程上将源物质、蒸发温度和蒸发