磁性半导体(In-%2c1-x-Fe-%2cx-)-%2c2-O-%2c3-和xFeTiO-%2c3--(1-x)Fe-%2c2-O-%2c3-制备、结构和磁性的研究.pdf

摘要 磁性半导体被认为是制造下一代白旋电子器件的候选材料之一。一种获得 磁性半导体的方法是将磁性原子注入到半导体中，使磁性原子之I’日J产生交换相 互作用，形成具有铁磁性的稀释磁性半导体(Diluted Semiconductor- Magnetic 带半导体ZnO中掺杂5％的Mn磁性离子，有望获得高于室温的铁磁性。紧接 于室温的铁磁·I，t(Tc400K)，自此以后，关于氧化物稀磁半导体的室温铁磁性得 到了广泛的研究。然而对于氧化物稀磁半导体的铁磁性具体来源目前仍然不清 楚：有人认为铁磁性来源于样品的内禀性质，其产生机理主要分为三种：第一 种是由载流子诱导的铁磁交换祸合，如RKKY交换作用。第二种是与样品中的 缺陷有关，具有代表性的是局域极化子(BMP)模型，第三种是传统的交换作 用模型，比如双交换相互作用。另外，还有人认为铁磁性来源于样品中的铁磁 性团簇或污染物，但这不足样品的内禀性质。冈此深入研究氧化物稀磁半导体 的铁磁性来源对于基本问题的认谚{和它们将来的应用都具有重要的意义。对于 另外一和，磁性半导体材料FeTi03一Fe203固溶体来说，它们本身就具有内禀的铁 磁性，并且具有良好的半导体性质。但是关于磁性半导体FeTi03．Fe203固溶体 的研究目前只停留在固相反应和真空溅射制备的块体和薄膜材料上，所以研究 化学法制备磁性半导体FeTi03．Fe203固溶体粉木将有助于丌拓这种材料的应用 范围和性质研究。本论文研究的是稀磁半导体Fe掺杂In203的磁性及其来源和 磁性半导体FeTi03．Fe203固溶体粉术的化学制备方法。我们采用溶胶一凝胶法制 术样品的微结构和磁性，得到的主要结果如下： 1．(Inl．。Fe。)203样品 对于溶胶一凝胶法制备的(Inl-xFe。)203粉术样品，系统地研究了产生铁磁性 Abstract 的各种条件以及铁磁性的来源。 50％，这一结果远远高于目前其它文献报道的值(25％)。利用XRD精修 明，当Fe离子浓度很低时，Fe离子在In203品格中择优占据24d品位，随 着Fe离子浓度的升高，Fe离子慢慢趋向随机占据24d和8b晶位。这一结 果为以后深入研究Fe离子在In203中的磁行为提供了有用信息。 掺杂两种方法，发现真空退火可以诱导出铁磁性，而Sn共掺杂没有诱导出 铁磁性，这一结果说明在(Inl-xFe、)203样品中，可以通过引入氧空位而不是 载流子来诱导铁磁性。 1．3为了注入氧空位并诱导铁磁性，我们第一次利用碳热还原方法来处理(Inl- 。Fe。)203样品，获得了居里温度高达786K且磁矩可达1．4laB／Fe的铁磁性， 而且铁磁性的强弱可以通过碳剂黾来调节。利用XPS分析，我们得出铁磁 性来源于氧空位诱导的二价Fe离子与三价Fe离子之间的双交换作用。 1．4 子掺杂，并由此获得了即使在高温空气中也很稳定的铁磁性。通过XPS等 实验证实，F掺杂诱导了二价Fe离子产生，铁磁性柬源于二价Fe离子与 三价Fe离子之问的双交换作用。 2．FeTi03-Fe203固溶体样品 第一次利用了化学共沉积方法制备出纯相哑铁磁半导体FeTi03．Fe203固 溶体粉术样品。 盐作为源材料，并要尽可能保证Fe2+在整个制备过程中不能被氧化为 Fe”。制备过程之自仃通过加热来除去水中溶解的氧，在共沉积和热处理过 程中利用Ar气作为保护气体防止Fe2+被氧化，最后成功制备出纯相 FeYi03．Fe203固溶体粉木样品。 Abstract (x=0．4，x=0．3)样品，发现磁场退火后样品的铁磁性明显增强，分析认为 这是由于在热处理过程中磁场对Ti离子的分向影响而导致的。 1V Abstract Abstract semiconductorisconsideredasoneofthecandidatematerials．for Magnetic thenext of devi