表面预处理对集allt;,2gt;olt;,3gt;高k栅介质影响的研究.pdf

摘要 随着器件尺寸的进一步缩小，栅介质正变得越来越薄，由于隧穿效应引起的 栅介质漏电流将急剧上升。为了抑制栅漏电流，高介电常数(hi曲．k)栅介质将 取代传统的SiON栅介质。而原子层淀积(ALD)工艺技术由于其精确的厚度控 制，在高k栅介质的集成工艺上倍受青睐。然而实验表明，在原子层淀积high．k 工艺节点栅介质的等效厚度(EOT)将小于lnm；因此研究如何有效抑制界面层 生长已成为high—k集成中的一大挑战。本文主要研究了两种表面处理工艺：表 面TMA处理和表面氮化处理，论文主要内容归纳为以下三个部分： 1．论文研究了表面TMA处理和表面氮化处理对原子层淀积A1203薄膜的热稳 定性、电学特性的影响，并分析了不同表面处理对电容器件C．V滞回特性影 响的原因。 …从HRTEM照片上证实：表面TMA处理的确有效抑制了界面层的生长； 表面氮化处理在Si表面形成了一层厚～0．5rim的SiON，也有效抑制了在 薄膜淀积过程中界面层的再生长。 …表面氮化处理导致了更好的界面热稳定性。 …实验发现，界面层减薄后电容器件的C—V滞回明显增加；基于电容瞬态 扫描(C—t)，提出了“浅能级陷阱”模型成功解释了两种表面处理工艺 下的滞回差异。 2．为深入了解表面TMA处理的作用，论文研究了表面TMA处理抑制界面层 生长的机理。 …基于X射线光电子能谱(XPS)分析，提出了“界面Al催化效应”与“位 阻效应”结合的机制，成功解释了表面TMA处理对界面层的抑制作用； …将表面TMA处理工艺成功应用到应变SiOe表面，在抑制界面层的同时 大大改善了界面特性；根据XPS分析，这是由于“界面A1催化效应，， 导致了界面的充分氧化，从而改善了界面特性： 3．基于量子化学计算，论文应用Gaussian03研究了表面氮化促进原子层淀积 A1203薄膜初始生长的原因。 …在前人的计算和实验结果基础上，推导出表面Si=N单元的形成是氮化 反应进行的关键步骤。 …在计算Si=N表面的同时，得到了NH表面。 …计算表明：在掺氮的Si表面，TMA的吸附及反应产物都较在H／Si表面 上稳定，并且反应势垒大大降低，这些都表明氮化后的表面促进了A1203 的初始生长；从电子结构的角度分析发现这是由于表面的N原子能够提 供一个孤对电子，与TMA中Al原子提供的P空轨道结合，形成稳定的 吸附态。 关键词：A120，，高介电常数栅介质，原子层淀积，位阻效应，密 度泛函原理 中图分类号：TN304，TN305 Abstract Asthe shrinkofdevice’Sfeature dielectricwillbecome aggressive size，gate willcause currentdueto effect．In thinner,which unacceptablegateleakage tunneling ordertoinhibitthe dielectricwill largeleakage conventionalSiONdielectric．Andatomic is more replace layerdepositionbecoming and due more tOits controlofthefilm relative popular precise thickness．However，a thickinterface b