外延及CVD工艺摘要.pptVIP

1 第二章 外延及CVD工艺 §1 外延工艺 一.外延工艺概述 定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长，并称此为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。 CVD:Chemical Vapor Deposition 晶体结构良好 掺入的杂质浓度易控制 可形成接近突变p—n结 外延分类:气相外延(VPE)－－常用 液相外延(LPE)－－ⅢⅤ . 固相外延(SPE)－－熔融在结晶 . 分子束外延(MBE)－－超薄 化学气相淀积(CVD)----低温,非晶 材料异同 同质结 Si-Si 异质结GaAs--AlxGa(1-x) As 温度：高温1000℃以上 低温1000℃以下 CVD（低温） 二.硅气相外延工艺 1. 外延原理 氢还原反应 2. 生长速率 影响外延生长速率的主要因素： 反应剂浓度 温度：B区高温区（常选用），A区低温区 气体流速 :气体流速大生长加快 生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关 矩形腔的均匀性较圆形腔好。晶面间的共价键数目越多，生长速率越慢。 3.系统与工艺流程 系统示意图 工艺流程 .基座的HCl腐蚀去硅程序(去除前次外延后基座上的硅) N2预冲洗 260L/min 4min H2预冲洗 260L/min 5min 升温1 850oC 5min 升温2 1170oC 5min HCl排空 1.3L/min 1min HCl腐蚀 10L/min 10min H2冲洗 260L/min 1min 降温 6min N2冲洗 三. 外延中的掺杂 掺杂剂 氢化物: PH3， AsH3，BBr3，B2H6氯化物: POCl3，AsCl3 在外延层的电阻率还会受到下列三种因素的干扰 重掺杂衬底重的大量杂质通过热扩散方式进入外延层，称为杂质外扩散。 衬底中的杂质因挥发等而进入气流，然后重新返回外延层，称为气相自掺杂。 气源或外延系统中的污染杂质进入外延，称为系统污染。 同型杂质 异型杂质 四. 外延层中的缺陷与检测 漂移规律 {111}面上严重,偏离2~4度,漂移显著减小, 常用偏离3度. 外延层越厚,偏移越大 温度越高,偏移越小 生长速率越小,偏移越小 SiCl4 SiH2Cl2 SiH4 硅生长---腐蚀速率的各向异型是发生漂移的根本原因. 3.参数测量 五.外延的用途 双极电路： 利用n/n+硅外延，将双极型高频功率晶体管制作在n型外延层内，n+硅用作机械支撑层和导电层，降低了集电极的串联电阻。 采用n/p外延片，通过简单的p型杂质隔离扩散，便能实现双极集成电路元器件间的隔离。 外延层和衬底中不同类型的掺杂形成的p--n结，它不是通过杂质补偿作用形成的，其杂质分布可接近理想的突变结。 外延改善NMOS存储器电路特性 (1)提高器件的抗软误差能力 (2)采用低阻上外延高阻层，可降低源、漏n+区耗尽层寄生电容，并提高器件对衬底中杂散电荷噪声的抗扰度 (3)硅外延片可提供比体硅高的载流子寿命，使半导体存储器的电荷保持性能提高。 软误差 从封装材料中辐射出的α粒子进入衬底产生大量(约106量级)电子-空穴对，在低掺杂MOS衬底中，电子-空穴对可以扩散50μm，易受电场作用进入有源区，引起器件误动作，这就是软误差。 采用低阻衬底上外延高阻层的外延片，则电子-空穴对先进入衬底低阻层，其扩散长度仅1μm，易被复合，它使软误差率减少到原来的1/10。 CMOS电路采用外延片可使电路的寄生闸流管效应有数量级的改善。 Latch-up 器件微型化： 提高器件的性能和集成度要求按比例缩小器件的横向和纵向尺寸。其中，外延层厚和掺杂浓度的控制是纵向微细加工的重要组成部分；薄层外延能使p-n结隔离或氧化物隔离的横向扩展尺寸大为减小。 工艺多样化： 具有相反导电类型的外延层，在器件工艺中可形成结和隔离区； 薄层外延供器件发展等平面隔离和高速电路； 选择外延可取代等平面隔离工艺来发展平面隔离； 绝缘衬底上的多层外延工艺可以发展三维空间电路 * * 硅烷热分解 等气压线 1. 缺陷种类: a.存在与衬底中并连续延伸到外延层中的位错 b .衬底表面的析出杂质或残留的氧化物，吸附的碳氧化物导致的层错； c . 外延工艺引起的外延层中析出杂质； d .与工