半导体物理第章资料.ppt

第5章 非平衡载流子 主要内容 处于热平衡状态的半导体,在一定的温度下,载流子浓度是一定的,称为平衡载流子浓度。 在外界作用下，能带中的载流子数目发生明显改变，即产生非平衡载流子。 大多数情况下,非平衡载流子都是在半导体的局部区域产生的.它们除了在电场作用下的漂移运动以外,还要作扩散运动. 本章主要讨论非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制. 5.1非平衡载流子的注入与复合 小注入 如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的浓度，称为小注入。 例如,在室温下n0=1.5×1015cm-3的N型硅中. 空穴浓度p0= 1.5×105cm-3. 如果引入非平衡载流子Δn=Δp=1.0×1010cm-3, 则Δpn0. 在小注入情况下，多数载流子浓度变化很小，可以忽略， 但非平衡少数载流子浓度还是比平衡少数载流子浓度大很多，因而它的影响是十分重要的。 相对来说，非平衡多数载流子的影响可以忽略。 实际上，非平衡载流子起着主要作用，通常所说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 附加电导率 小注入时 电阻变化 电压变化反映了附加电导率的变化，从而检测了非平衡少数载流子的注入。 5.2非平衡载流子的寿命 可以通过实验，观察光照停止后，非平衡载流子浓度随时间变化的规律。 实验表明，光照停止后随时间按指数规律减少。 这说明非平衡载流子并不是立刻全部消失，而是有一个过程即它们在导带和价带中有一定的生存时间，有的长些，有的短些。 非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用?表示。 边界条件 解 寿命 锗：104μs 硅：103μs 砷化镓：10-8~10-9s 显然?越大，非平衡载流子浓度减小得越慢 非平衡载流子寿命 令 5.3 准费米能级 与n0p0=ni2比较,可以看出EFn和EFp之间的距离大小,直接反映了半导体偏离平衡态的程度. ①两者的距离越大,偏离平衡态越显著; ②两者的距离越小,就越接近平衡态; ③当两者重合时,有统一的费米能级,半导体处于平衡态. 在有非平衡载流子存在时,由于nn0和pp0,所以无论是EFn还是EFp都偏离EF EFn偏向导带底Ec,而EFp则偏向价带顶Ev.但是,EFn和EFp偏离EF的程度是不同的.一般来说，多数载流子的准费米能级非常靠近平衡态的费米能级EF,两者基本上是重合的,而少数载流子的准费米能级则偏离EF很大. 5.4复合理论 分类 微观机构 直接复合：直接跃迁 间接复合：通过复合中心 发生位置 体内复合 表面复合 复合释放能量的方法 发射光子：有发光现象 发射声子：能量传给晶格，加强晶格的振动 将能量给予其他载流子（俄歇复合） 5.4.1直接复合 电子由导带直接跃迁到价带的空状态，使电子和空穴成对地消失. 其逆过程是，电子由价带激发到导带，产生电子-空穴对. 产生率：单位时间单位体积内产生的电子-空穴对数，用G表示，为温度的函数,与载流子浓度无关。 复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。 其中r复合概率，为温度的函数,与载流子浓度无关。 热平衡时，产生率等于复合率 净复合率：单位时间单位体积内净复合消失的电子－空穴对数。 非平衡载流子的净复合率 载流子的产生和复合在任何情况下都是存在的。 在热平衡状态下也存在着产生与复合两个过程 只不过这个状态下载流子产生的原因是温度，相应的，描述这种产生过程用热产生率，即单位时间单位体积内热产生的电子－空穴对数称为热产生率 当热产生率等于复合率时，半导体就达到热平衡状态。 如果复合率大于热产生率就存在净复合率。 净复合率的数值等于复合率与热产生率之差 非平衡载流子寿命 寿命不仅与平衡载流子浓度有关，还与非平衡载流子浓度有关。 小注入条件下 对于n型材料 ，若 若大注入条件下 可见，寿命随非平衡载流子浓度增大而减小， 因而，在复合过程中，寿命不再是常数 一般地说，禁带宽带越小，直接复合的几率越大。 所以，在锑化铟（0.18eV）和碲（ 0.3eV ）等小禁带宽度的半导体中，直接复合占优势。 实验发现，砷化镓的禁带宽度虽然比较大一些，但直接复合机构对寿命有着重要的影响，这和它的具体能带结构有关。 砷化镓是直接带隙半导体。 把直接复合理论用于锗、硅，得到的寿命值比实验结果大的多。 这说明对于硅、锗寿命还不是由直接复合过程所决定，一定有另外的复合机构起着主要作用，决定着材料的寿命，这就是间接复合。 杂质和缺陷在半导体禁带中形成能级，它们不但影响半导体导电性能，还可以促进非平衡载流子的复合而影响其寿命。 实验表明半导体中杂质和缺陷越多，载流子寿命就越短