基于HFCVD法密封环基体的温度场仿真及实验.pdfVIP

2014年 4月 第 2期 金刚石与磨料磨具工程 April2014 第 34卷 总第 200期 Diamond8LAbrasivesEngineering No．2 Vo1．34 Seria1200 基于 HFCVD法密封环基体的温度场仿真及实验 刘建锦 ，张 韬，王新昶，沈 彬，孙方宏 (上海交通大学机械与动力工程学院 ，上海 200240) 摘要 为了在碳化硅密封环端面上生长 出均匀一致的金刚石涂层 ，提 出了采用三维有限元法模拟基体温 度场的方法优化沉积工艺参数。首先 ，通过在 实际沉积 系统 中的测温实验 ，验证 了仿真结果的正确性。 然后 ，在温度场仿真 中分析了热丝直径 (D)、热丝间距 (S)和工作台冷却水流速 (F)等参数对衬底温度场 均匀性的影响，进而这些参数被分别优化为0．6mm、16～18mm和 3OmL／s。此外，通过有 限元仿真还 分析 了热丝弯曲(B)对衬底温度场的影响。最后 ，通过采 用扫描 电子显微镜