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- 2016-03-03 发布于重庆
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000(ydy)能带不连续性对aSi cSi(HIT)异质结构光伏特性的影响.doc
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能带不连续性对a—Si/c—Si(HIT)异质结构 光伏特性的影响①
胡志华1,2廖,.g-4h1
>-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临
1中国科学院半导体研究所,北京,100083
2云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092
摘要:本文报道了运用AMPS模拟程序对a SI:H,/c—Sj HIT(heterojunction
thin with
an
intrinsic
layer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对
光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。为了解a—Si/c-Si界面的能带补
偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同
Gall
S等报道的试验结果也进行了比较。结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18 eV)和较
大的价带补偿(~0.5 eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。
关键词:a—Si/c-Si
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