4微机原理存储器和高速缓存技术解读.ppt

第四章 存储器和高速缓存技术 §4.1存储器和存储器件 除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储器 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法 1、主存和高速缓存之间的关系 Cache引入: 为解决cpu和主存之间的速度差距,提高整机的运算速度,在cpu和主存之间插入的由高速电子器件组成的容量不大,但速度很高的存储器作为缓冲区。 Cache特点 存取速度最快，容量小，存储控制和管理由硬件实现。 Cache工作原理——程序访问的局部性 在较短时间内由程序产生的地址往往集中在存储器逻辑地址空间的很小范围内。（指令分布的连续性和循环程序及子程序的多次执行）这种对局部的存储器地址频繁访问，而对此范围以外的地址范围甚少的现象就成为程序访问的局部性。 数据分布不如指令明显，但对数组的访问及工作单元的选择可使存储地址相对集中。 2、主存与辅存之间的关系 主存:(半导体材料组成) 优:速度较快 缺:容量居中,单位成本高,价格居中。 辅存:(光盘,磁盘) 优:容量大,信息长久保存,单位成本低. 缺:存取速度慢 CPU正在运行的程序和数据存放在主存 暂时不用的程序和数据存放在辅存 辅存只与主存进行数据交换 虚拟存储器（Virtual Memory） 　 虚拟存储器指的是为了扩大容量，把辅存当作主存使用，它将主存和辅存的地址空间统一编址，形成一个庞大的存储空间。程序运行时，用户可以访问辅存中的信息，可以使用与访问主存同样的寻址方式，所需要的程序和数据由辅助软件和硬件自动调入主存，这个扩大了的存储空间，就称为虚拟存储器。之所以称为虚拟存储器，是因为这样的主存并不是真实存在的。 ? 　 在一个虚拟存储系统中，展现在CPU面前的存储器容量并不是实存容量加上辅存容量，而是一个比实存大得多的虚拟空间，它与实存和辅助空间的容量无关，取决于机器所能提供的虚存地址码的长度。 ? 　 可分为页式虚拟存储器、段式虚拟存储器和段页式虚拟存储器 选择存储器件的考虑因素 （1）易失性 （2）只读性 （3）位容量 （4）功耗 （5）速度 （6）价格 （7）可靠性 §4.1 主存储器 4.1.1 半导体存储器的分类 按制造工艺 双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 半导体存储器的分类 1.读写存储器RAM 2.只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 半导体存储器芯片的结构 ① 存储体 存储器芯片的主要部分，用来存储信息 ② 地址译码电路 根据输入的地址编码来选中芯片内某个特定的存储单元 ③ 片选和读写控制逻辑 选中存储芯片，控制读写操作 ① 存储体 每个存储单元具有一个唯一的地址，可存储1位（位片结构）或多位（字片结构）二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量＝2M×N ＝存储单元数×存储单元的位数 M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 存储矩阵 字结构:同一芯片存放 一个字的多位，如8位。 优点是:选中某个单元, 其包含的各位信息可从同一 芯片读出,缺点是芯片外引 线较多,成本高.适合容量小 的静态RAM. 位结构:同一芯片存放多个字的同一位. 优点是芯片的外引线少,缺点是需要多个芯片组和 工作.适合动态RAM 和大容量静态RAM 2、地址译码器 功能:接收系统总线传来的地址信号,产生地址译码信号后,选中存储矩阵中的某个或几个基本存储单元. 从结构类型上分类:单译码,双译码 单译码方式适合小容量的存储器 例如：地址线12根 对应4096个状态，需要4096根译码线 双译码方式适合大容量存储器(也称为矩阵译码器） 分X、Y两个方向的译码 例如：地址线12根 X、Y方向各6根，64*64=4096个状态，128根译码线 ② 地址译码电路 单译码结构 双译码结构 双译码可简化芯片设计 主要采用的译码结构 ③ 片选和读写控制逻辑 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 随机存取存储器 静态RAM SRAM 2114 SRAM 6264 §4.1.2