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第 32 卷 第 30 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.32 No.30 Oct.25, 2012 2012 年 10 月 25 日 Proceedings of the CSEE ©2012 Chin.Soc.for Elec.Eng. 1 0258-8013 (2012) 30-0001-07 TM 51 A 470 40 文章编号： 中图分类号： 文献标志码： 学科分类号： ⋅ 碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望 盛况，郭清，张军明，钱照明 (浙江大学电气工程学院，浙江省 杭州市 310027) Development and Prospect of SiC Power Devices in Power Grid SHENG Kuang, GUO Qing, ZHANG Junming, QIAN Zhaoming (Department of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, Zhejiang Province, China) ABSTRACT: Silicon Carbide (SiC) is a wide-bandgap 半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标做 semiconductor that has drawn significant research interests in 出了不懈的努力，并已取得了世人瞩目的成就。早 recent years for its superior physical and electrical properties, 期的大功率变流器，如牵引变流器几乎都是基于晶 such as larger bandgap, high breakdown electric field, high 闸管的。到了20 世纪 80 年代中期，4.5 kV 的GTO electron saturation velocity and high thermal conductivity. The 得到广泛应用，并成为在接下来的十年内大功率变 paper introduces the developments of Silicon Carbide power devices in power grid, including the SiC PiN diodes, 流器的首选器件，一直到 IGBT 的阻断电压达到 SiC-MOSFETs, SiC-IGBTs and SiC Thyristors. The 3.3 kV 之后，这个局面才得到改变。与此同时，对 perspectives of SiC power electronic devices in power grid are GTO 技术的进一步改进导致了 IGCT 的问世，它显 also proposed. The speedy growth of high power and high 示出比传统 GTO 更加显著的优点。目前的 GTO 开 current SiC devices will