转移过程对CVD生长的石墨烯质量的影响.pdfVIP

2014 年 第 59 卷 第 33 期：3322 ~ 3328 《中国科学》杂志社 专辑: 纳米碳材料 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 转移过程对CVD 生长的石墨烯质量的影响 ①②* ①② ② ② ② 梁学磊 , 李伟 , CHENG GuangJun , CALIZO Irene , HACKER Christina A , ② ② ① HIGHT WALKER Angela R , RICHTER Curt A , 彭练矛 ① 北京大学电子学系, 纳米器件物理与化学教育部重点实验室, 北京 100871; ② Nanoelectronics Group, Semiconductor and Dimensional Metrology Division, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg MD 20899, USA * 联系人, E-mail: liangxl@ 2014-05-23 收稿, 2014-07-17 接受, 2014-10-17 网络版发表 国家重大科学研究计划(2011CB921904)和教育部科学技术研究项目(113003A)资助 摘要 利用化学气象沉淀法(CVD)在金属衬底上生长的石墨烯制备电子器件需要先把石墨烯转移 关键词 到绝缘基底上, 转移过程对器件制备的成功率和性能的均匀性有重要影响. 转移过程中导致的石 石墨烯 墨烯破损和金属生长基底残余颗粒污染受到普遍重视, 然而由金属基底腐蚀液导致的石墨烯表面 转移 污染还没有引起足够的重视. 本文利用拉曼光谱和 X 射线光电子能谱(XPS)证明了转移过程中金 污染 拉曼光谱 属基底腐蚀液会在石墨烯表面引入污染, 利用我们发展的“ 改良的 RCA(radio corporation of XPS America)清洗(modified RCA clean)”转移工艺能够有效地去除这种污染. 这对提高后续制备的电 子器件的性能有重要意义. 近年来对石墨烯的研究呈爆发式增长 , 这主要 重要 . 是由于其特殊的结构和物理性能使其在未来的纳电 实验室中最常用的石墨烯转移方法是“光刻胶辅 子 或 光 电 子 器 件 中 具 有 潜 在 的 应 用 前 景 [1,2](http:// 助 ” 的转移方法[9~12]. 该方法中 , 通常先在生长出来 ). 电子器件的大规模制备需要大面积、 的石墨烯样品表面涂一层光刻胶, 比如聚甲基丙烯 高质量的石墨烯. 在现有的石墨烯制备方法中, 化学 酸甲酯 (PMMA), 然后用腐蚀液把金属基底腐蚀掉 . 气相沉积法 (CVD)是一种成本相对较低且与芯片制 随后把“PMMA/石墨烯”叠层结构转移到目标基底上, 备工艺兼容的