镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究.pdfVIP

（ 辑） 第 卷 第 期 （ ） 年 月 !! # 镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的 散射研究 马智训 廖显伯 孔光临 褚君浩 （ 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 ； 中国科学院半导体研究所、 凝聚态物理中心、表面物理国家重点实验室，北京 ） 摘要 系统研究了 的 散射谱及其退火行为，并通过退火技术使 从 网络中分凝出来，形成纳米硅和 的镶嵌结构 并利用 散射技术 研究了这种复合薄膜中纳米硅的声子态 发现在 的波数范围内，纳 米硅的 谱可用 条 线得到很好地拟合，并对这 条线的来源作了确 认；观测到了在 范围内纳米硅的双声子散射研究结果表明，镶嵌 在 介质中的纳米硅具有非晶硅相和纳米硅晶相共存的特点，两者均对 散射有贡献不仅观测到了声子限制效应使一级光学声子频率随纳米硅晶粒尺寸减 小而红移这一现象，而且还发现（与体硅相比）声子限制效应对二级 散射具有 增强效应，并对二级散射模的频率也会产生影响 关键词 纳米硅 声子限制效应 散射 近年来，由于观测到多孔硅强的室温可见光发射而引起了人们对纳米硅光学性质的广泛 关注 这为 基材料在集成光电子器件中的应用提供了可能性 目前人们采用各种手段，制 备出不同类型的纳米硅薄膜，其中镶嵌在 基质中的纳米硅薄膜引起了人们的广泛兴趣， 这不仅是由于 和 之间低的界面态密度、 对于纳米硅中电子和空穴强的量子限制 效应，而且还因为它与现代 平面技术相兼容而具有强烈的应用