第七章光刻工艺B精要.pptVIP

* 光刻工艺 ■ ? 概述 ■ ? 掩膜版 ■ ? 光刻机 ■ 光刻胶 ■ ? 典型的光刻工艺流程 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第7、8章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 四、光刻胶 由光敏化合物（PAC 、基体树脂和有机溶剂 等混合而成的胶状液体。都是碳基有机化合物 1 当受到特定波长光线的作用后 ，光刻胶会发生化学反应，使 光刻胶在某些特定溶液（显影 液）中的溶解特性发生改变。 2 正性胶和负性胶。 a. 曝光前对显影液不可溶 而曝光后变成可溶的。 能得到与掩膜版遮光图 案相同的图形。 b. 负胶反之。 1、光刻胶的组成： 2、正性光刻胶 ■ 特点：正胶中的长链聚合物曝光后分解而变得可溶。 ■ 缺点：粘附性和耐腐蚀性较差，成本高。 ■ 优点：分辨率高，边缘整齐，陡直度好； 感光机理：紫外照射后分解放出氮气，同时分子结构重 排，产生环的收缩，形成五环烯酮化合物，经水解生成 羧酸衍生物，在碱性水溶液中生成可溶性羧酸盐而溶 解，从而显出图形。 1） 常用正胶： a. 邻迭氮萘醌 PAC DQ Wolff重组 五环烯酮化合物 羧酸衍生物 羧酸盐 b. g line和i line: DQN正胶：酚醛树脂 N , 重氮萘醌 DQ 。 偏甲氧酚醛树脂是水溶性的，能溶于碱溶液和许多溶剂。 树脂:PAC≈1:1→ 光刻胶在碱溶液中几乎不溶解。PAC起 溶解抑止剂作用。 ? PAC在紫外光作用下由油溶性光敏剂转变成在碱溶液中溶解 的水溶性物质 羧酸）。 ? 曝光后，曝光部分的树脂在碱溶液中溶解度大增，导致硅片 上产生光刻图形。 2）深紫外248nm KrF光刻胶 a. g-line和i-line光刻胶存在的问题: I DQN在300nm以上是透明的，DUV波段吸收强烈。 II 单光子过程：在曝光时吸收一个光子最多发生一次 分解反应。 I 化学放大光刻胶（CAR）：由光敏产酸物 ＰＡＧ 、 酸敏树脂和溶剂等组成。 II 化学放大过程：一个光子触发许多化学反应，灵敏 度大增。 b. 深紫外光刻胶 I 在曝光时光敏产酸物质 ＰＡＧ 分解出超强酸分子； II 曝光后烘烤提供反应和扩散能量，催化酸敏树脂侧链上的 不溶物分解，同时再产生酸分子。 III 催化剂在反应中可以循环使用,酸催化反应数量远大于光化 反应的数量。 c. （CAR）基本工作原理： 正型CAR中的基本反应 d. CAR的特点 I 化学反应为催化反应，酸分子在每步化学反应后重新产 生，从而可参与上百次的反应。酸催化反应数量远大于光 化学反应的数量。 II CAR的总量子效率＝光-PAG反应效率×后续催化反应数量 ——CAR的量子效率远远大于1，使得CAR的敏感度远大于 DQN胶 e. 存在的问题 I 曝光与酸催化反应之间存在时间延迟——造成酸分子往非曝 光区的扩散，并容易造成酸污染 II PEB 曝光后烘烤 条件的控制对光刻质量影响很大 3、负性光刻胶 1）特点：大多数负胶通过曝光后的交联聚合而起作用，大的 树脂分子相互连接，变得不可溶。 a.优点：感光速度高，粘附性和耐腐蚀性强，工艺易于控制， 成本低。 b.缺点：易膨胀。显影时图形线宽展宽，烘烤后恢复，但线 条变形。膨胀时靠的很近的线条可能会连在一起。 ■ 通常在加工线宽 2μm的图形时采用；这种观念已经动摇。 ■ 深紫外248nm曝光，采用负性化学放大光刻胶已能获得与 正胶类似的具有亚微米图形的精度。 2 常用负胶： 特点：在高分子的侧 链上带有肉桂酸基 感光性官能团，曝 光后，官能团中的 碳－碳双键发生二 聚反应，引起聚合 物分子间的交联， 转变为不溶于显影 液的物质。 聚肉桂酸酯类、聚烃类－双叠氮系光刻胶等。 a. 聚肉桂酸酯类 b. 聚烃类－双叠氮系光刻胶 由聚烃类树脂 主要是环化橡胶 、双叠氮型交联剂、增感剂和溶剂组成 2 双氮烯自由基与橡胶分子链反应，生成不溶性网状高聚物。 1 双叠氮型交联剂进行光化学分解反应： 基体树脂 聚对羟基苯乙烯或甲酚醛树脂 ,交联剂 六甲氧基 甲基三聚氰氨基ＨＭＭＭ ,光敏产酸物 PAG，鎓盐 . （3） 深紫外248nm负性化学放大光刻胶的组成： 4、光刻胶的性能指标 胶自身性质：正胶 负胶； 光刻工艺：曝光源、时间； 胶膜厚度；显影条件， 硅片平整度等。 1） 分辨率： 用某种光刻胶光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸，通常 是以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。 则: R 1/W 条线/毫米） 最小分辨线宽w/2， ■ 影响因素 2）感光度和敏感度 ? 正