第三章,化学气象沉淀精要.ppt

第3章 薄膜技术 1 外延 epitaxy）** 2 氧化 oxidation ** 3 化学气相淀积*（CVD） 4 物理气相淀积*（PVD） 化学气相淀积系统、用途及特点 常压CVD、低压CVD、等离子体CVD、光CVD 化学气相淀积的模型与原理* 淀积薄膜的特性要求——台阶覆盖* 各种常用CVD薄膜的制备 多晶硅、硅氧化物、硅氮化物、钨及其他薄膜 PECVD系统 第3章 薄膜技术 1 外延 epitaxy）** 2 氧化 oxidation ** 3 化学气相淀积*（CVD） 4 物理气相淀积*（PVD） 真空蒸发 溅射 小结 淀积时可加入气体掺杂剂，得到掺杂的多晶硅。但均匀性比APCVD多晶硅的差。 ① ⑤为物理过程； ② ④为吸附与解吸过程； ③化学反应过程，并与吸附 解吸 交错进行 硅化物：多晶硅/难熔金属的硅化物，形成多层栅极结构 Polycide ，可使互连电阻下降一个数量级；在IC存储器芯片中被大量的用作字线和位线。氮化物：在铝及其合金及金属铜下淀积TiN，形成多层互连的阻挡层或W、Cu的附着层。 DRAM的电容器用的高k介质Ta2O5薄膜 TaCl5 和O2 CVD制备 ，电容C一定时，增加k以减小面积A，从而增加DRAM的密度→需要高k介质。Ta2O5 Ta2O5介质常数为20~3