第03章器件祥解.ppt

闩锁 (a) 原因 (b) 等效电路 V DD R psubs R nwell p-source n-source n + n + p + p + p + n + P衬底 R psubs R nwell V DD N阱 SPICE 模型 Level 1：长沟道方程 很简单 Level 2：物理模型 包括载流子饱和和阈值变动 Level 3：半经验模型 拟合器件测量曲线 Level 4：BSIM经验模型 简单、普遍采用 主要的 MOS SPICE 参数 SPICE 寄生参数 SPICE 晶体管参数 拟合Level 1模型用于手工分析 V GS = 5 V V DS = 5 V V DS I D 长沟道近似 I - 短沟道I-V曲线 匹配区 选择 k ‘ 和 l 使得在 得到最佳匹配 V gs = V ds = V DD 工艺沿革 未来展望 图3.42 沟长为25 nm FINFET MOS 双栅晶体管 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * EE141 * 结构：CMOS的寄生? n-p-n-p 原因：类似可控硅触发 正反馈? 低阻通路? 大电流毁坏芯片 改进：减小寄生电阻，降低寄生的电流增益 在源处多放衬底（阱）欧姆接触孔 大电流晶体管用保护环 * nMOS 饱和 I-V 如果 Vgd Vt, 沟道在漏极附近夹断 当 Vds Vdsat = Vgs – Vt 此时增加漏极电压不在增加漏极电流 nMOS I-V 特性总结 长沟道器件的电压电流关系 人工分析模型 速度饱和效应 x (V/μm) x c = 1.5 u n ( m / s ) u sat = 10 5 Constant mobility (slope = μ) Constant velocity 图3.１７ 速度饱和效应 V V V - V I D 长沟道器件 短沟道器件 DS DSAT GS T V GS = V DD 图3.18短沟道器件由于速度饱和而显示出范围更大的饱和区 深亚微米区域的电压电流关系 线性关系 -4 V DS (V) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 x 10 I D (A) VGS= 2.5 V VGS= 2.0 V VGS= 1.5 V VGS= 1.0 V 速度饱和 图3.１９（b） ID / VGS 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 1 2 3 4 5 6 x 10 -4 V GS (V) I D (A) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 x 10 -4 V GS (V) I D (A) 平方关系 平方关系 线性 长沟器件（Ld=10um） 短沟器件（Ld=0.25um） 图3.20 ID / VDS -4 V DS (V) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 x 10 I D (A) VGS= 2.5 V VGS= 2.0 V VGS= 1.5 V VGS= 1.0 V 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 1 2 3 4 5 6 x 10 -4 V DS (V) I D (A) VGS= 2.5 V VGS= 2.0 V VGS= 1.5 V VGS= 1.0 V 电阻 饱和区 VDS = VGS - VT 长沟器件（Ld=10um） 短沟器件（Ld=0.25um） 图3.19 用于手工分析的非精确模型 S D G B 图3.23 用于手工分析的模型 0 0.5 1 1.5 2 2.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 x 10 -4 V DS (V) I D (A) 速度饱和区 线性区 饱和区 VDSAT=VGT VDS=VDSAT VDS=VGT 图3.24 PMOS 晶体管 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 x 10 -4 V DS (V) I D (A) 设 所有参数为负 VGS = -1.0V VGS = -1.5V