第4章场效应管及其放大电路祥解.ppt

场效应管的微变参数 2. 衬底跨导gm b 反映了衬底偏置电压对漏极电流ID的控制作用 ——跨导比 微变参数 3. 漏极电阻rds 反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率。 4.导通电阻Ron 在恒阻区内 微变参数 5. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容 Cgb —栅极与衬底间电容Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有： 1.场效应管的微变等效电路（交流模型） S D gds Ugs + - + - Uds G ID ? 低频微变等效电路 由输出特性： ID=f(UGS,UDS) ID gmUgs 微变等效电路 ? 高频微变等效电路 Cgd S D gmUgs gds Ugs + - + - Uds G ID Cgs Cds 2.三种基本放大电路 结型共源放大器电路 电压增益为: 1.未接CS时:等效电路如图: （一） 共源组态基本放大器 其中，RD’=RD//RL 放大器的输入电阻为: 放大器的输出电阻为: ri’=RG+(R1// R2)? RG ro’ ? RD 2 . 接入CS时: + D Ugs - gm Ugs rds - Uo + G Ui RD RL R1 RG R2 S ri ro AU ?- gm RD’ ri’=RG+(R1// R2)? RG ro’ =RD // rds ? RD G S D ri Ui (二) 共漏放大电路（也称源极跟随器) RG G Uo RL RS gmUgs rds S D = gmUgsRS Ugs + gmUgsRs = gmRS 1 + gmRs RS=rds//RS//RL ≈ RS//RL 1 gmRS1 AU≈1 ri=RG Ugs + - 电压增益 输入电阻 低频等效电路 输入电阻大 (2) 共漏放大电路（续） 输出电阻 Ugs + - gmUgs RS + - Uo Io ro Ui G Uo S RG RL RS gmUgs rds D Ugs + - - gmUgs Ugs= -Uo =Uo(1/Rs+gm) 输出电阻小，且与源极电阻和管子跨导有关。 (三)共栅放大电路 S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id Id=gmUgs+Uds/rds Uds=Uo-Ui Uo= -IdRD Ugs= -Ui Id= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds ri ri 当rdsRD时， 共栅放大电路（续） S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id ri ri AU≈ gmRD rdsR’D，gmrds1 输入电阻 ≈1/gm， ri≈Rs//1/gm 共栅放大电路（续） 电压增益 AU≈ gmRD 输入电阻 ri≈1/gm ri≈Rs//1/gm S G D rds gmUgs 输出电阻 ro ro=rds ro=rds//RD≈ RD 电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相。 (四)三种接法基本放大电路的比较 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 电压增益 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输入电阻 Ri ) + /1 //( CB: CC: CE: ie e hfe h R CS：RG CD：RG CG：Rs//(1/gm) 三种基本放大电路的比较如下 组态对应关系 CE / CB / CC CS / CG / CD 输出电阻Ro CS：rds // RD CD：Rs//(1/gm) CG：RD 表3-3 FET 三种组态性能比较 以上表格中参数是在下列条件 下求得的： gm = 1.5mA; rds = 100k? RD = Rs = 10k?;RG= 5M? 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 耗尽型MOS管 UGS(V) ID(mA) ? N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 沟道较短时，或考虑漏源之间的电压时，有 ID≈K(UGS-UGS,off)2（1+?UDS) UGS,off 转移特性曲线 当UGSUGS,off，且未击穿时， 输出特