《材料科学基础》回复与再结晶解析.pptVIP

回复与再结晶;冷变形金属在加热时显微组织的变化 ;;冷变形金属在加热时力学性能、物理性能的变化 ;冷变形金属在加热时内应力的变化 ;第一节 回 复;一、回复动力学;;回复动力学特点; 回复速率和温度有阿累尼乌斯关系：; 以ln （ 1/t ）对1/T作图，得直线，直线斜率为Q/R，可求出回复过程的激活能。; 实验表明，对冷变形铁在回复时其激活能因回复程度不同而有不同的激活能值。 如在短时间内时求得的激活能与空位迁移能相近，而在长时间回复时求得的激活能则与自扩散激活能相近。 这说明冷变形铁的回复，不能用一种单一的回复机制来描述。;二、回复机理;点缺陷运动：（1）空位、间隙原子移至晶界、位错处消失；（2）空位聚集（空位群、对）。→点缺陷密度降低 2. 中温回复（0.3－0.5 Tm） 位错滑移：异号位错相遇而抵销；位错缠结重新排列。→位错密度降低;3. 高温回复（ 0.5 Tm）多边化; 刃型位错沿垂直于滑移面的方向运动，沿攀移后所在的滑移面滑移，使在同一滑移面并排的同号位错处于不同 滑移面竖直排列，以降低总的畸变能。; 刃型位错通过攀移和滑移构成竖直排列（位错墙），形成位错墙的过程称为多边形化。;回复亚晶：多边化形成小角度晶界，亚晶界将原来的晶粒分割成许多亚晶块。 实质是胞壁处的缠结位错不断聚集、使胞壁变薄，逐渐形成网络，构成清晰的亚晶界过程。;过程示意;三、回复退火的应用;第二节 再结晶 ; 核心优先在局部形变高的区域形成。（形变带、晶界、夹杂附近及自由表面附近等）。 形变量高于一临界值后，形核率随形变量增加而急剧增加。 一般情况下（中等形变量下），核心的晶体学位向与它形成所在的形变区域的晶体学位向有统计关系。 核心不能长入和它的位向差别不大的区域中。; 一般发生在变形程度较小（一般小于20％）的金属中。 变形不均匀，位错密度不同。;假设晶界扫过地方的储存能全部释放，则由1到2时的自由能变化为：; 若晶界弓出段两端a、b固定，且γb值恒定，则开始阶段随ab弓出弯曲，R逐渐减小， ΔG值增大，当 R 达到最小值（ab/2 = L）时， ΔG将达到最大值。 此后，若继续弓出，由于R的增大而使ΔG减小，于是，晶界将自发的向前推进。; 这样，再结晶的形核将在现成晶界上两点间距离为2L，而弓出距离大于L的凸起处进行，使弓出距离达到L所需的时间即为再结晶的孕育期。; 一般发生在变形度大的金属。 借助亚晶作为再结晶的核心，其形核机制又可分为亚晶合并形核和亚晶粒长大形核两种。; 多存在于大变形且具有高层错能的金属中。; 多存在于变形程度大的低层错能金属。亚晶界位错密度高，其两侧亚晶的位向差较大，在加热过程中容易迁移生成大角度晶界，于是就做为再结晶核心而长大。;2. 长大;二、再结晶动力学;（1）具有 S 形特征，存在孕育期，开始时再结晶速度很小，在体积分数为0.5时最大，然后减慢。 （2）温度越高，孕育期越短，转变速度越快。 （3）变形量越大，孕育期越短，转变速度越快。 再结晶动力学曲线的表达式：x ＝ 1 - exp（-BtK） x为再结晶体积分数，实验表明在一定温度范围内K不随温度变化。;1. 形变量：;2. 原始晶粒尺寸：; 溶质原子倾向于在位错及晶界处偏聚，对位错但滑移和攀移以及晶界但迁移起着阻碍作用，从而不利于再结晶的形核和核但长大，阻碍再结晶过程。;（1）增加形变储存能而增加再结晶驱动力：因为它使形变后的结构复杂，使位错密度增加的缘故。 （2）粒子附近可能作为再结晶形核位置：大而硬且间距宽的第二相粒子，由于形变时粒子附近出现更多的不均匀形变区，这些区域有大的显微取向差，可促发形核。 （3）弥散和稠密分布的第二相粒子钉扎晶界，阻碍迁动。; 退火温度越高，再结晶速度越大。退火温度与再结晶速度v的关系可用阿累尼乌斯公式表示： v再＝Aexp（-Q/RT） 而再结晶速率和产生某一再结晶体积分数x所需时间成反比，故： 1/tx＝Bexp（-Q/RT）;三、再结晶温度;高纯金属：T再＝（0.25~0.35）Tm。 工业纯金属：T再＝（0.35~0.45）Tm。 合金：T再＝（0.4~0.9）Tm。 （均为形变量足够大时的关系。）;四、再结晶的应用;第三节 晶粒长大;一、晶粒的正常长大;;2. 晶粒的稳定形状 ;（1）温度：温度