半导体基础知识(2007.12.3)详解.pptVIP

一、硅的基本性质简介 1、硅的物理性质： 常温常压下，结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。 2、硅的基本化学性质硅在化学周期表中第14号元素，分子量为28.085。由于原子最外电子层只有4个价电子，因此其化学性质比较稳定（如图一）。  3、晶体、硅晶体 晶体是指具有一定几何形状，其构成粒子按某种规律排列，占有一定空间体积的纯净物。一般所说的晶体，是指多晶体。但用于半导体业时，必须为单晶体。单晶体和多晶体的区别在于前者是长程有序的排列，后者不具有。相反，排列无规则、无秩序的称为非晶体。硅原子最外层结构只的四个电子决定了它们之间只通过共价电子对形成晶体。其晶体结构一般被称为“金刚石结构”。这个结构的一个重要特点是：每个原子有4个最近邻，它们正好在一个正四面体的顶角位置（如图二所示）。 4、硅晶体原子排列结构 最外层四个电子以共价键组合形成的硅晶体（如图三所示）。根据硅原子排列“长程有序”与“长程无序”分单晶硅和多晶硅（如图四）。 6、晶面与晶向 晶面是把一个晶格单元放在三维坐标系中特殊定义的，它遵循密勒指数法则（如图五）。籽晶就是沿同一组晶面研磨而成的。 7、晶向即为晶体生长的方向，它与晶面垂直,同一组晶面用圆括号“（）”标识，晶向用方括号“[]”标识，予以区分（如图六）。 8、晶体缺陷 当硅晶体结构中发生格点移动或晶格移动时，便产生晶体点缺陷（如图七）。点缺陷会影响硅片电学性质，如电阻、少子寿命等。 当点缺陷进一步恶化时，产生位借或层错（如图八）。位错或层错除了影响硅片的电学性质外还会影响其它包括机械强度的力学性质，即当内部存在大量位错或层错时，硅片容易产生翘曲、崩边、破片等。 9、硅的导电性 固体材料按导电能力以分为导体、半导体和绝缘体（如表二）。 导体——价带与导带交叠，导电需要小的重叠能量。 绝缘体——禁带宽度一般大于2ev 半导体——介于绝缘体和导体之间的禁带能量级别。（Si为1.11ev) 10、半导体分类（根据导电类型分） 本征半导体——纯的半导体。 P型半导体——空穴导电。 N型半导体——电子导电。 当在硅或锗的晶体中掺入三价元素时如硼，如右图硼原子与周围的四个硅原子形成共价键后，硼原子的外层电子数是7比稳定结构少一个价电子，这样将产生一个空穴，空穴可以环绕B离子运动，当通电时空穴为主要载流子产生定向运动导电，主要是以空穴为半导体的导电方式。 当在硅或锗的晶体中掺入五价元素时如磷、砷和锑等。如右图磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数是 9 ，比稳定结构多一个价电子，多余的价电子环绕P离子运动,通电时自由电子作为主要的载流子发生定向运动导电，主要是以自由电子为半导体的导电方式。 N型半导体 单晶、多晶、晶向 单晶——体内所有的原子都是按同一顺序排列起来的。 多晶——由很多的小晶粒（单晶）组成。 晶向——晶体具有各向异性，沿晶体不同方向物理特性不一样。用晶向矢量在x、y、z三个坐标轴上投影表示其晶向。 导体、半导体、绝缘体 导体——价带与导带交叠，导电需要小的重叠能量。 绝缘体——禁带宽度一般大于2ev 半导体——介于绝缘体和导体之间的禁带能量级别。（Si为1.11ev) 3.晶体结构结点：一系列在三维空间按周期性排列的几何点称为一个空间点阵，把空间点阵中的几何点或者等同点成为结点。空间格子：联结分步在三维空间内的结点就构成了空间格子。 半导体的特性 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： 1. 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低，比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件(如热敏电阻等)，但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效，报废。 2.半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点,，可制成光敏三极管，光敏电阻等。 3.在纯净的半导体中加入微量(千万分之一)的其他元素(这个过程我们称为掺杂)，可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征，例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5*1015/cm3磷原子,比例为10-7(即千万分之一)，硅的导电能力提高了几十万倍. 半导体材料 元素半导体： ⅣA 族的硅和锗 化合物半导体： Ⅲ -Ⅴ 族化