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本章主要内容 9.1 概述 9.2 基本光刻工艺流程 9.3 光刻技术中的常见问题 正胶涂布显影工艺： 9.3光刻技术中的常见问题 半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求: 一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直； 二是图形内没有针孔； 三是图形外没有残留的被腐蚀物质。 同时要求图形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。 9.3.1 浮胶 浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与SiO2或其它薄膜间的界面，所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。 9.3.1 浮胶 显影时产生浮胶的原因有： 涂胶前基片表面沾有油污，水汽，使胶膜与基片表面粘附不牢。 光刻胶配制有误或胶液陈旧，不纯，胶的光化学反应性能不好，与基片表面粘附能力差，或者胶膜过厚，收缩膨胀不均，引起粘附不良。 烘焙时间不足或过度。 曝光不足。 显影时间过长，使胶膜软化。 腐蚀时产生浮胶的原因： 坚膜时胶膜没有烘透，膜不坚固。 腐蚀液配方不当。例如，腐蚀SiO2的氟化氢缓冲腐蚀液中，氟化铵太少，化学活泼性太强。 腐蚀温度太低或太高。 9.3.2 毛刺和钻蚀 腐蚀时，如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘，会使图形边缘受到腐蚀，从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的完整性。 若渗透腐蚀较轻，图形边缘出现针状的局部破坏，习惯上就称为毛刺； 若腐蚀严重，图形边缘出现“锯齿状”或“绣花球”样的破坏，就称它为钻蚀。 当SiO2等掩蔽膜窗口存在毛刺和钻蚀时，扩散后结面就很不平整，影响结特性，甚至造成短路。同时，光刻的分辨率和器件的稳定性、可靠性也会变坏。 9.3.2 毛刺和钻蚀 产生毛刺和钻蚀的原因有： 基片表面存在污物，油垢，小颗粒或吸附水汽，使光刻胶与氧化层枯附不良，引起毛刺或局部钻蚀。 氧化层表面存在磷硅玻璃，与光刻胶粘附不好，耐腐蚀性能差，引起钻蚀。 光刻胶过滤不好，存在颗粒状物质，造成局部粘附不良。 对于光硬化型光刻胶，曝光不足，显影时产生溶钻，腐蚀时造成毛刺或钻蚀。 显影时间过长，图形边缘发生溶钻，腐蚀时造成钻蚀。 掩模图形的黑区边缘有毛刺状缺陷。 9.3.3 针孔 在氧化层上，除了需要刻蚀的窗口外，在其它区域也可能产生大小一般在1~3微米的细小孔洞。这些孔洞，在光刻工艺中称为针孔。 针孔的存在，将使氧化层不能有效地起到掩蔽的作用。在器件生产中，尤其在集成电路和大功率器件生产中，针孔是影响成品率的主要因素之一。 9.3.3 针孔 针孔产生的原因有： 氧化硅(或其它)薄膜表面有外来颗粒(如硅渣、石英屑、灰尘等)或胶膜与基片表面未充分沾润，涂胶时留有未覆盖的小区域，腐蚀时产生针孔。 光刻胶含有固体颗粒，影响曝光效果，显影时易剥落，造成腐蚀时产生针孔。 光刻胶膜本身抗蚀能力差，或胶膜太薄，腐蚀过程中局部蚀穿，造成针孔。 前烘不足，残存溶剂阻碍光刻胶交联；或前烘骤热，溶剂挥发过快，引起鼓泡穿孔，造成针孔。 曝光不足，交联不充分，或时间过长，胶层发生皱皮，腐蚀液穿透胶膜，在SiO2表面产生腐蚀斑点。 腐蚀液配方不当，腐蚀能力太强。 掩模版透光区存在黑斑，或沾有灰尘，曝光时局部胶膜未曝光，显影时被溶解，腐蚀时产生针孔。 9.3.4 小岛 小岛是指在应该将氧化层刻蚀干净的扩散窗口内，还留有没有刻蚀干净的氧化层局部区域，它的形状不规则，很象“岛屿”，尺寸一般比针孔大些，习惯上称这些氧化层“岛屿”为小岛。 小岛的存在，使扩散区域的某些局部点，因杂质扩散受到阻碍而形成异常区。它使器件击穿特性变坏，漏电流增大，甚至极间穿通。 9.3.4 小岛 小岛产生的原因： 掩模版上的针孔或损伤，在曝光时形成漏光点，使该处的光刻胶膜感光交联．保护了氧化层不被腐蚀，形成小岛。 曝光过度，或光刻胶存放时间过长，性能失效，使局部区域光刻胶显影不净，仍留有观察不到的光刻胶膜。其在腐蚀时起阻碍作用，引起该处氧化层腐蚀不完全而形成“小岛”。 氧化层表面有局部耐腐蚀的物质，如硼硅玻璃等。 腐蚀液中存在阻碍腐蚀作用的脏物。 本章重点 光刻系统的主要指标 基本光刻工艺流程 光刻技术中的常见问题 P* P* 微电子制造工艺概论 第9章 光刻工艺 IC产品的发展趋势： 大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本； 光刻技术在每一代集成电路中扮演技术先导的角色，光刻成本占据整个技术成本的35%； IC对光刻技术的要求 高分辨率：加工线条越精细，要求光刻图形分辨率越高； 高灵敏度的光刻胶：曝光时间越短，需要灵敏度越高； 低缺陷：光刻中引入缺陷，影响成品率； 精密的套刻精度：套刻精度小于线宽的± 10%； 对大尺寸硅片的加工：大尺寸硅片同时制作很多芯片，满足前述要求难度很大； 9.1概述 光刻(photo lithography)就是将掩模版（光